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2015-09-20 发布于浙江
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AP2318GEN Pb Free Plating Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET ▼▼ Capable of 2.5V gate drive BV 30V ▼▼ DSS ▼▼ Small outline package D R 720m Ω ▼▼ DS(ON) ▼▼ RoHS Compliant I 1A ▼▼ D S SOT-23 G Description Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to D achieve the lowest possible on-resistance, extremely efficient and cost-effectiveness device. G The SOT-23 package is universally used for all commercial-industrial applications. S Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Units VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage ±16 V I @T =25℃ Continuous Drain Current3, VGS @ 4.5V 1 A D A I @T =70℃ Continuous Drain Curr