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摘 要
碳纳米管是一种新型的碳材料。自从碳纳米管被成功置备以来,碳纳米管
的研究己成为当前材料科学领域的前沿课题之一。论文将阐述碳纳米管在现有实
验条件下的制备情况,主要介绍在导师实验室中,如何用直流石墨电极放电的电
弧法制备出纯度较高的单壁纳米碳管、管绳、管束以及含有异质结的碳纳米管,
并介绍了对实验装置和方法所做的革新。
碳纳米管的电学性能随石墨平面卷曲的手性矢量的不同而显著变化,从而
提供了丰富的金属型和能隙不等的、热稳定性很高的各种半导体型一维材料;其
导电性能随异质结的改变而不同的特性,将可能为半导体制造领域提供独特的分
子型半导体器件;此外金属性单壁纳米碳管(SWNT)中电子波函数长距离的相
干性,提供了连接纳米级电子器件的优质量子导线,使纳米电子器件的大规模集
成成为可能;碳纳米管量子点的库仑阻塞及隧穿效应使得碳纳米管可以成为场效
应管、单电子隧穿管及电子开关等元器件的理想材料,种种广泛的应用前景使得
碳纳米管以能带结构为主的电学特性基础研究显得极为重要。论文将在第三章讨
论碳纳米管电学性质的理论计算和实验研究的一般方法和最新进展
本论文在第四章,从费米点漂移的构想角度,将对石墨烯卷曲成单壁碳纳
米管(SWNT)时产生的有限弯壁效应和对称性缺失效应,而引起SWNT的固有
电学性质的改变,展开能带结构的理论计算和分析。
第五章将运用第一性原理的计算方法结合非平衡格林函数(NEGF)和密度
泛函理论(DF,r)计算带有五元环一七元环拓扑缺陷对的单壁纳米碳管(SwNT)
(9,0)两种不同类型的含异质结的单壁碳纳米管的能带结构,并比较了其与理
想(7,0)、(8,0)、(9,0)单壁碳纳米管的不同。
关键词:单壁碳纳米管;能带;能隙;异质结:五元环一七元环缺陷;
Abstract
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