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: 游小刚 等 电子束注入对多孔硅吸杂效果的影响 08129 文章编号: ( ) 1001-9731 2014 08-08129-05 电子束注入对多孔硅吸杂效果的影响∗ , , , , 游小刚 谭 毅 李佳艳 石 爽 郭素霞 　 　 ( , ) 大连理工大学 材料科学与工程学院 辽宁 大连 116024 : 。 摘 要 研究了电子束注入对多孔硅吸杂效果的影 子束有着快速热处理与电场效应的双重作用 　 　 。 响 采用电化学腐蚀方法利用双电解槽在单晶硅片上 实 验 2　 　 。 制备多孔硅 电子束注入以后多孔硅的微观形貌发生 , , , 了变化 通过 3 min 的电子束注入处理 硅片的电阻率 制备多孔硅的原材料为 型高纯单晶硅 电阻率p ρ , · , ( ) 。 发生了明显的改变 大于相同条件下经过快速热处理 为0.0083 Ω cm 晶向 100 厚度500 m 依次用丙 μ , 、 , , 的硅片的电阻率 这充分证明了电子束注入有热效应 酮 乙醇和去离子水对单晶硅片进行清洗5 min 随后 [11-13] , 。 , 与电场效应的双重作用 对去除杂质 有一定的效果 利用电化学腐蚀的方法制备多孔硅 实验装置如 B 。 。 , 电子束注入时间对去除杂质的效果有一定的影响 图 所示 在双电解槽装置中 样品被放置在铂电极1 : ; ; ; , 。 关键词 多孔硅 电子束注入 吸杂 电阻率 之间 在阳极形成多孔硅 电化学腐蚀溶液为 　 40% 中图分类号: 文献标识码: 的乙醇溶液( 与 的体积比为 )。 　TG1 A HF HF C H OH2 5 1 ∶1 :