高功率微波介质窗表面矩形槽抑制二次电子倍增.pdf

第26卷第6期 强 激 光 与 粒 子 束 H 2()14年6月 HIGP()WERI。ASERANDPARTTCI。EBFAMS 高功率微波介质窗表面矩形槽抑制二次电子倍增。 宋佰鹏。， 范壮壮2， 苏国强1， 穆海宝1， 张冠军1， 刘纯亮2 摘要： 为深入研究高功率微波(HPM)作用下介质窗沿面击穿破坏的物理机制，探索提高闪络场强阈 值的方法和途径，开展了介质窗表面矩形刻槽抑制电子倍增的理论与试验研究。首先根据动力学方程建立了 介质窗表面电子倍增模型并分析了介质窗槽内电子运动轨迹，考虑了矩形槽结构对表面微波电场的影响，理论 分析表明在闪络击穿的起始和发展阶段矩形槽可有效抑制电子倍增。在S波段(2．86 GHz，脉宽】Its)下开展 了介质窗表面矩形刻槽的击穿破坏试验，试验结果发现表面矩形刻槽可大幅度提高微波传输功率，在槽深(1．0 mrFt和】．0 mm)一定时不同的刻槽宽度(0．5 mm)对应的微波功率抑制范围不同。采用PICMC仿真模拟槽 内倍增电子的时空演化，仿真结果很好地验证了试验现象。 关键词： 高功率微波； 二次电子倍增；介质窗： 沿面闪络；矩形槽 中图分类号： ‘IM21 文献标志码： A doi：10．1】884／HPI．PB2011 26．065008 波装置不断向大功率、小型化方向发展．介质窗口的破坏击穿是微波产生装置普遍存在的现象，严重限制了高 的资助下，Texas 国防科学技术大学[5i3和中国工程物理研究院口。“o开展了相应的试验和理论分析工作。 随着对介质窗击穿现象认识地不断深入，国内外学者探索抑制介质窗闪络击穿的有效手段。表面抛光、表 面清洗和预放电老炼等手段可以降低材料表面的局部场增强，抑制电子的场致发射，但这些方法对提高闪络阈 值贡献不大。通过真空烘烤可以减少介质窗表面解吸附气体，可以在一定程度上提高闪络场强。施加外电场 形槽能够阻断电子倍增过程，提高闪络场强，NeuberE们等人在实验中发现表面刻槽可提高击穿阈值40％以上。 但目前对于刻槽抑制闪络的物理机理还缺乏系统性理论和试验研究，本文通过研究矩形槽内电子的运动轨迹， 探讨刻槽抑制二次电子倍增的物理机理，并在S波段下开展击穿破坏验证试验。 1 HPM介质表面电子运动模型 1．1 介质窗表面电子运动简化模型 针对真空中高功率微波作用下介质表面闪络击穿现象，目前研究者 们普遍认可的发展过程为：首先介质表面由于场致发射等因素产生初始 电子，初始电子碰撞材料表面进而产生二次电子倍增，同时材料表面在电 子轰击下释放气体．气体碰撞电离并形成等离子体通道。最终发生沿面闪 络口‘]。二次电子的倍增效应是导致介质表面击穿的重要原因，而电子在 意蓦当 微波场下的运动过程决定了电子倍增能否实现。真空中HPM作用下介 一‘ 质窗表面电子运动的理论仿真模型如图1所示，微波的传输模式为TE。 simulationmodelof 模，微波由真空侧穿过介质窗向外辐射，其传播方向与介质表面垂直。由 Fig．1Physical 于介质表面局部场致发射或x射线等因素，材料表面出现初始电子，初始 electronsmotionC)Ftdielectricwindow 图l 介质表面电子运动仿真物理模型 电子在微波电场E和磁场H¨的作用下获得能量，当撞击能量满足一定 1116； 0l20 *收稿日期：2013 修订日期：2014 基金项目：国家高技术发展计划项目 作者简介：宋佰鹏(1087一)。男．博士研究生。从事真空沿面闪络研究；songbaipeng．123@Stkl．xjt