射频磁控溅射法制备Cu3N薄膜及其性能研究.pdfVIP

人 工 晶 体 学 报 N。．3 第35卷第3期 v01．35 N薄膜及其性能研究 射频磁控溅射法制备Cu3 袁晓梅，王 君，吴志国，岳光辉，闫鹏勋 (兰州大学等离子体与金属材料研究所，兰州730000) 摘要：采用反应射频磁控溅射法，在氮气和氩气的混合气体氛围中，玻璃基底上制备出了具有半导体特性的氮化铜 (cu，N)薄膜，并研究了混合气体中氮气分量对cu，N薄膜的择优生长取向、平均晶粒尺寸、电阻率和光学带隙的影 响。原子力显微镜，x射线衍射仪，四探针电阻仪，紫外可见光谱分析及纳米压痕仪等测试结果表明：薄膜由紧密 排列的柱状晶粒构成，表面光滑致密；随着氮气分量的增加，cu，N薄膜由沿(111)晶面择优生长转变为沿(100)晶 ～1．75eV问变化；薄膜的硬度约为6．oGPa，残余模量约为108．3GPa。 关键词：氮化铜薄膜；射频磁控溅射；表面形貌；电阻率；光学带隙；显微硬度 中图分类号：0484 文献标识码：A of NFilms lkactiVe PropertiesCu3 Preparedby MagnetronSputtering Radio-frequency n，AⅣ瓤oo一眦i，删．ⅣG知凡，删劢i一班D，y观’G∽昭一^Mi，翰Ⅳn凡g—zun forPlasma蚰dMetal (Institute M8terials，L明zhouunive瑁ity，L卸zhou730()00，china) (如ce矗蒯16舭№衲∥2005) Nfilmswere onthe subs溉tesreactiVe Abstract：ThesemiconductingCu3 successfullydepositeddass by RF inamixtureof and d亿ctsof contentinafixed magnetronsputtering gasnitrogena唱on．The nitrogen total nowonthe mean size，the crystallineorientation，thecrystallinegrain sputteringgas preferential electrical the filmswere diffhction as—deposited inVest培ated．X—ray resistivity，andopticalenergyg印of showsthatthefilmsare Nandthe orientationis aIlalysis p01ycrystallineCu3 preferential greatly“fectedby of Nfilmsdecreasedandthe the