混合掺杂半导体载流子浓度的数值计算.pdfVIP

( ) 　第 28 卷第 2 期 　　　　　　　　　　长 春 工 业 大 学 学 报 自然科学版 　　　　 　　　　　Vol28 ,No . 2 　 　　2007 年 6 月 　 　J ournal of Changchun U niver sit y of Techonolo gy (Nat ural Science Edition) 　 　 J un2007 ① 混合掺杂半导体载流子浓度的数值计算 1 1 2 贺 　莉 , 　纪跃芝 , 　刘国彩 ( 1. 长春工业大学 基础科学学院 , 吉林 长春 　1300 12 ; 2 . 泰山学院 数学系 , 山东 泰安 　27 1000) 摘 　要 : 针对混合掺杂情况下的半导体材料 ,运用费米分布函数对其载流子浓度进行计算 ,推 导出了一般情况下的电中性方程 ,对所推导出的电中性方程进行计算机数值求解 ,得到了对应 不同材料 、不同掺杂浓度 、不同温度时的载流子浓度 。对于计算中可能出现的溢出问题进行了 妥善处理 ,并采用预划分积分区间的办法 ,加快了费米积分的计算速度 。文中所提出的计算方 法对于简并半导体和非简并半导体均适用 。 关键词 : 载流子浓度 ; 数值计算 ; 混合掺杂 中图分类号 : O24 1 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : (2007) 020 16504 Calculation for the concentration of miximpurity semiconductor carrier H E Li1 , 　J I Yuezhi1 , 　L IU Guocai2 ( 1. School of Basic Sciences , Changchun U niver sit y of Technology , Changchun 1300 12 , China ; 2 . Mat hematical Dep art ment , Tai shan U niver sit y , Taian 27 1000 , China) Ab stract : For t he miximp urit y semicon ductor , wit h Fer miDirac st ati stics , a general neut ralit y equation i s deduced and t he concent ratio n of t he carrier i s calculat ed cor re spo ndin g to diff erent mat erial s , diff erent t emp erat ure s an d diff erent dopin g level s. Sp ecial st ep s are t aken to solve t he overflow p roblem , and t he p redivi sion int egral int erval met ho d exp edit e s t he Fer mi calculation sp eed . The mentioned met ho d i s suit able to bot h t he nondegenerat e and degenerat e semiconductor s. Key word s : car rier concent ration ; numerical calculation ; mixdop ed semicon ductor s. 半导体的载流子浓度