PECVD法低温形成纳米级薄介质膜击穿特性的实验研究(论文资料).pdfVIP

支撑技术 PECVD法低温形成纳米级薄介质膜 击穿特性的实验研究 1 2 3 1 陈蒲生 ，刘剑 ，张昊 ，冯文修 （1.华南大学应用物理系,广东 广州 510640；2.广东省邮电科学研究院，广东 广州 510665； 3.中国电子科技集团公司第五研究所，广东 广州 510610） 摘要：对等离子体增强化学汽相淀积 （PECVD）法制成纳米级SiON薄膜组成的MIS结构样品，通 x y 过美国HP系列设备测试I-V特性、准静态及高频C-V特性。分析了薄膜I-V特性、击穿机理与各项电学性 能；探讨了膜的击穿电场等电学参数以及击穿电场随反应室气压、混合气体比例、衬底温度的变化关系； 给出了击穿等电性优良的PECVD形成SiON薄介质膜的优化工艺条件。 x y 关键词：等离子体增强化学汽相淀积；薄介质膜；I-V特性；击穿机理；电学性能 中图分类号：TN304.054；TN304.055文献标识码：A文章编号： 1 2 3 1 CHEN Pu-sheng, LIU Jian, ZHANG Hao, FENG Wen-xiu (1.Dept of Appl Phys, South China University of Tech, Guangzhou510640China; 2. 510665China; 3.The 5th Institute,CE TC, Guangzhou510610,China) Abstract:For the MIS structure sample composed of SiON xy by PECVD, theI-V C-V a series of American HP electrical installations. TheI-V N xy down and other electrical characteristics. Key words: PECVD；thin dielectric film；I-V characteristic；breakdown mechanism；elec- trical property 耦合到反应气体中去，使气体处于包含大量正、负 1 引言 离子的等离子态，从而使得许多高温下进行的反应 PECVD法是一种兼备物理汽相淀积和化学汽相 在较低温度下实现。用该法制备纳米级SiON薄介 x y 淀积特性的近代先进制膜方法，它利用电能将能量 质膜，可使衬底处于较低温度下 （ 400℃）完