SGDBR激光器中取样光栅的理论和实验研究.pdfVIP

NO．2 第29卷第2期 半导体学报 VOl，29 2008年2月 JoURNALOFSEMICoNDUCTORS Feb．，2008 SGDBR激光器中取样光栅的理论和实验研究* 董 雷1’2’t 张瑞康2 王定理2’3 张 靖2 陈 磊2 江 山2 赵圣之1 余永林4 刘水华2 (1山东大学信息科学与工程学院，济南250100) (2光迅科技股份有限公司，武汉430074) (3武汉大学物理科学与技术学院，声光材料与器件教育部重点实验室，武汉430072) (4华中科-技大学武汉光电国家实验室．武汉430074) 摘要：讨论了取样光栅分布布拉格反射激光器(SGDBR)中取样光栅对激光器调谐范围、输出功率和光谱质量的影响，介 绍了其设计流程，并据此对SGDBR进行了实验研究．其取样光栅的反射谱和设计相符。且在30nm准连续调谐范围内边模 抑制比都大于30dB． 关键词：SGDBR半导体激光器；取样光栅}梳状光谱 ． EEACC：4320J；4270；4130 中图分类号：TN248．4文献标识码：A 文章编号：0253．4177(2008)02．0356．05 1 引言 计 取样光栅是在均匀光栅中周期性地去除一些区域 图1所示的取样光栅结构中，以，J乙。和L。分别代表 构成的一种独特的光栅结构，这种周期性调制导致光栅 光栅周期、光栅区长度和取样长度，R是端面反射率，L 具有梳状的反射谱．利用取样光栅制作的SGDBR激光 为光栅距离端面的长度，取样周期数为Ⅳ．取样光栅梳 器如图1所示，它利用游标效应大大拓宽波长的调谐范 状反射谱如图2所示，歆是反射峰的带宽，从是梳状反 围．与其他宽可调谐半导体激光器相比，在调谐范围和 射峰之间的波长间隔，反射峰上的数字代表反射峰级 输出光谱质量等方面都具有很大优势[1’23；且制作工艺数．由于歆，M和反射率直接影响激光器的性能，而这 相对简单，易与其他器件集成E3,4]，有非常好的市场前 些参数是由光栅结构直接决定．因此只有了解取样光栅 景． 各个结构参数之间的制约关系，优化光栅结构，才能制 设计和优化取样光栅是研制高性能SGDBR激光 作出具有宽调谐范围、较强输出功率和优良单模输出特 器的关键，但目前还未见有详细的报道．本文分析了取 性的SGDBR激光器． 样光栅的结构参数对激光器调谐范围、输出功率和光谱 2．1调谐范围 质量的影响，并根据优化结果成功设计制作了四段式 SGDBR激光器．测试结果显示当仅在有源区注入电流 取样光栅最大的特点是利用游标效应实现远大于 时，器件的阈值电流为25mA，在100mA下输出功率大传统DFB和DBR激光器的调谐范围．设计时，将激光 于6mW；通过改变前、后光栅区以及相位区电流实现准器前、后端的取样光栅采用不同的取样周期，导致反射 连续调谐范围大于30nm，且在调谐范围内边模抑制比谱的波长间隔从不相同．通过注入电流改变前后光栅 都大于30dB． 梳状反射谱的重合位置从而实现不同波长激射． 图1 四段式SGDBR及其取样光栅结构图 Sc