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SGDBR激光器中取样光栅的理论和实验研究
NO.2
第29卷第2期 半导体学报 VOl,29
2008年2月 JoURNALOFSEMICoNDUCTORS Feb.,2008
SGDBR激光器中取样光栅的理论和实验研究*
董 雷1’2’t 张瑞康2 王定理2’3 张 靖2 陈 磊2 江 山2 赵圣之1 余永林4 刘水华2
(1山东大学信息科学与工程学院,济南250100)
(2光迅科技股份有限公司,武汉430074)
(3武汉大学物理科学与技术学院,声光材料与器件教育部重点实验室,武汉430072)
(4华中科-技大学武汉光电国家实验室.武汉430074)
摘要:讨论了取样光栅分布布拉格反射激光器(SGDBR)中取样光栅对激光器调谐范围、输出功率和光谱质量的影响,介
绍了其设计流程,并据此对SGDBR进行了实验研究.其取样光栅的反射谱和设计相符。且在30nm准连续调谐范围内边模
抑制比都大于30dB.
关键词:SGDBR半导体激光器;取样光栅}梳状光谱
.
EEACC:4320J;4270;4130
中图分类号:TN248.4文献标识码:A 文章编号:0253.4177(2008)02.0356.05
1 引言
计
取样光栅是在均匀光栅中周期性地去除一些区域 图1所示的取样光栅结构中,以,J乙。和L。分别代表
构成的一种独特的光栅结构,这种周期性调制导致光栅 光栅周期、光栅区长度和取样长度,R是端面反射率,L
具有梳状的反射谱.利用取样光栅制作的SGDBR激光
为光栅距离端面的长度,取样周期数为Ⅳ.取样光栅梳
器如图1所示,它利用游标效应大大拓宽波长的调谐范 状反射谱如图2所示,歆是反射峰的带宽,从是梳状反
围.与其他宽可调谐半导体激光器相比,在调谐范围和 射峰之间的波长间隔,反射峰上的数字代表反射峰级
输出光谱质量等方面都具有很大优势[1’23;且制作工艺数.由于歆,M和反射率直接影响激光器的性能,而这
相对简单,易与其他器件集成E3,4],有非常好的市场前
些参数是由光栅结构直接决定.因此只有了解取样光栅
景. 各个结构参数之间的制约关系,优化光栅结构,才能制
设计和优化取样光栅是研制高性能SGDBR激光
作出具有宽调谐范围、较强输出功率和优良单模输出特
器的关键,但目前还未见有详细的报道.本文分析了取 性的SGDBR激光器.
样光栅的结构参数对激光器调谐范围、输出功率和光谱
2.1调谐范围
质量的影响,并根据优化结果成功设计制作了四段式
SGDBR激光器.测试结果显示当仅在有源区注入电流 取样光栅最大的特点是利用游标效应实现远大于
时,器件的阈值电流为25mA,在100mA下输出功率大传统DFB和DBR激光器的调谐范围.设计时,将激光
于6mW;通过改变前、后光栅区以及相位区电流实现准器前、后端的取样光栅采用不同的取样周期,导致反射
连续调谐范围大于30nm,且在调谐范围内边模抑制比谱的波长间隔从不相同.通过注入电流改变前后光栅
都大于30dB. 梳状反射谱的重合位置从而实现不同波长激射.
图1 四段式SGDBR及其取样光栅结构图
Sc
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