WC_Co硬质合金表面不同去钴预处理方法的比较研究.pdfVIP

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2015-09-27 发布于重庆
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WC_Co硬质合金表面不同去钴预处理方法的比较研究

第 21 卷　第 1 期真　空　科　学　与　技　术　　　　　　　　　　 ( ) 　　　　　　　　　　　　　　 2001 年 1 月 VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY CHINA 71 　 WCCo 硬质合金表面不同去钴预处理方法的比较研究俞世吉　丁振峰　马腾才 (大连理工大学三束材料改性国家重点联合实验室　大连　116024) 邬钦崇 ( 中国科学院等离子体物理研究所　合肥　230031) EtchingCo Pretreatment of WCCo Cemented Carbide Surfaces Yu Shiji ,Ding Zhenfeng ,Ma Tengcai ( ) State Key Laboratory of Material Modification by Laser , Ion and Electron Beam , Dalian University of Technology , Dalian , 116024 Wu Qinchong ( ) Institute of Plasma Physics , Academia Sinica , Hefei , 230031 　　Abstract 　EtchingCo pretreatment of WCCo cemented carbide ( YG6) substrate surfaces is prerequisite for coating diamond films by mi crowave plasma chemical vapor deposition. The strengths and weakness of different etchingCo pretreatment ,including the chemical etching with either hydrochloric acid or with nitric acid and the HO plasma etching were studied with scanning electron spectroscopy ,Xray diffraction and 2 2 Raman spectroscopy. The results show that H O plasma etching results in more effective removing of Co and better diamond coating on the 2 2 substrate than chemical etching. 　　Keywords 　WCCo cemented carbide ,EtchingCo p