STOYBCO薄膜的制备及介电性能研究.pdf

660 2003 年第6 期（34 ）卷 STO/ YBCO 薄膜的制备及介电性能研究＊ 李德红，刘兴钊，何世明，陆清芳，李言荣，张 鹰，申妍华，陈家俊 （电子科技大学 微电子与固体电子学院，四川 成都610054 ） 摘 要： 采用脉冲激光沉积技术，在（100 ）LaAlO3 单晶基片上 Agilent 4284A LRC 测试仪测量平板电容器的性质，信号电平为 生长SrTiO / Y Ba Cu O （STO/ YBCO ）多层薄膜。XRD 分析 0 . 1V ，漏电流采用Agilent 34401A 数字万用表测量。X-ray 衍 3 1 2 3 7 - O rms 表明：YBCO 薄膜和STO 薄膜均为 C 轴取向，STO （002 ）/ YBCO 射仪为 D/ max-3A 。AFM 采用 SPA-300 型扫描探针显微镜 （006 ）衍射峰摇摆曲线半高宽为0 . 73 。AFM 分析表明，STO/ （SPM ）测量。超导电性采用感应法测试。 YBCO 多层薄膜表面平整、均匀，在77K ，100kHz 的测试条件下， 表1 优化的YBCO 膜和STO 薄膜沉积工艺条件 STO 薄膜介电损耗tg! 10 - 2 ，在53. 6kV/ cm 电场作用下，介电 Table 1 Optimized deposition conditions of YBCO thin film and STO 常数的相对变化为38% 。 thin film 关键词： STO ；铁电薄膜；脉冲激光沉积；界面势垒 基片温度靶基距沉积频率能量密度 氧分压 沉积速率 工艺条件 （ （ （ 2 （ O484 文献标识码：A C ） mm ） Hz ） （Pa ） nm/ min ） 中图分类号： （J/ cm ） 文章编号：1001-9731（2003 ）06-0660-02 STO 680 45 3 2 5 4 ~ 5 YBCO 780 45 3 2 20 4 ~ 5 1 引 言 3 结果与讨论 由于微波频率下半导体变容二极管的损耗较高，从而限制 超导转变特性测试表明：下层YBCO 薄膜超导转变特性良 ［1］ 了其在2GHz 以上频段的应用 。STO 铁电薄膜的介电常数 好，