低能离子束方法制备磁性Fe-Si合金薄膜.pdfVIP

刘力锋等：低能离子束方法制备磁性Fe-Si合金薄膜 429 低能离子束方法制备磁性Fe—Si合金薄膜+ 刘力锋1，陈诺夫1一，张富强1，陈晨龙1，李艳丽1，杨少延1，刘志凯1 (1．中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室，北京100083； 2．中国科学院力学研究所国家微重力实验室，北京lo0083) 摘要： 利用质量分离的低能离子束技术．获得了磁性Fe-Si多，对于Fe注入Si后的磁性方面的研究报道很少。本文利用 低能离子束技术．往Si中浅注入Fe，制备的非晶态Fe．Si合金 合金薄膜。利用俄歇电子能谱法(AEs)、x射线衍射法(xRD) 以及交变梯度样品磁强计(AGM)测试了样品的组分、结构以及薄膜具有室温下铁磁性。 磁特性。测试结果表明在室温下制备的Fe_Si合金是Fe组分 2材料制备 渐变的非晶薄膜，具有室温铁磁性。当衬底温度为300℃时制 备的非晶Fe_Si薄膜中有Fe硅化物FeSi相产生，样品的铁磁性实验设备采用具有质量分离的低能离子柬淀积系统。该设 被抑制。 备具有高真空度，低淀积速率，利用磁质量分析器提纯，可以使 关键词： 低能离子束；硅；铁磁性；磁性半导体 离子达到同位素纯等优点。在超高真空条件下可制备出其它工 中图分类号： TN304．7 文献标识码：A 艺不易实现、难提纯、难化合、和易氧化的特殊材料。设备基本 文章编号：100卜9731(2004)04一0429-03 性能参数为：靶室静态真空度为5．3×10“Pa；靶室动态真空度 1 引 言 原子量为1～207(H～Pb)；衬底温度为300～1073K。 磁性半导体材料兼具半导体和磁体特性，有希望制备出新 型功能器件，实现信息存储与信息处理的有机结合。在磁传感 除去衬底表面的污物、重金属离子和氧化物，在实验之前对si 器、磁记录以及未来的量子计算和通讯领域都有良好的应用前 衬底进行清洗和腐蚀。清洗按照去离子水、无水已醇、丙铜、四 景。对于磁性半导体的研究已经受到人们的广泛关注[““。si 氯化碳的顺序进行超声清洗5min，再按相反的顺序进行超声清 广泛应用于半导体工业而Fe具有良好的磁性和丰富的资源，因 此对Si—Fe系统的磁性研究将具有重大的实际意义。在si中引洗腐蚀好的Si单晶片通过机械手送入真空室，注入前先对Si片 入磁性元素，使得非磁性的Si形成磁体／非磁体杂和结构或者 在800℃温度下加热30min，进一步清除表面的氧化层。离子由 使非磁性Si成为稀磁半导体，就可在已有的微电子器件中引入 Freeman源电离产生，经过加速电压引出由质量分析器得到所 磁的与自旋有关的现象，这是非常有意义的。目前对于Si—Fe需的离子，减速到合适的能量，聚焦后注入到衬底上。样品1生 磁性的研究主要包括两个方面；一方面是si上磁性Fe薄膜的长时衬底温度为室温．样品2的生长温度为300℃，离子能量均 为1000eV，离子剂量为1．7×1017cm～，注入过程中离子束流约 外延及Fe／Si多层膜的生长[6“3；另一方面是往Si中掺杂Fe。 形成si：Fe稀磁半导体(DMS)[9]。由于磁性过渡族金属杂质为150肛A。 在Si中的平衡固溶度很低，并且很容易和Si反应形成过渡金属 3测试与分析 硅化物[1…．Si基稀磁半导体的制备非常困难。为了制备高掺杂 磁性离子浓度的硅，只有采用非平衡生长技术才能实现。目前 3．1 组分分析 利用激光熔蒸的分子束外延法(LAMBE)[”3和气源分子柬外延对样品进行AES测试．分析样品表面和沿深度方向的成分 法(GSMBE)[12]制备了掺杂磁性离子浓度达到百分之几的Si基 稀磁半导体。另一方面过渡金属在Si中平衡固溶度低的缺点 (b)分别是样品1和样品2的AES深度成分分析图。样品