FED中支撑对电场分布及电子轨迹的影响.pdf

清华大学学报 自然科学版 年 第 卷 第 期 !# $%%%%%’( - .*%%$ ($ (,+( )# $$***+,# - .=*%%$= B($= B $+$C /012345678329 :2; 0:5 ?@A #@ DEF 中支撑对电场分布及电子轨迹的影响 葛常锋 于宏宇 罗淑云 = = 清华大学 电子工程系 北京 - = $%%%G(. 摘 要 在场致发射显示器 中加入支撑会影响真空 激励阴极发射电子 从而点亮阳极的荧光粉发光 不 H ! % #$ = J 室内部电场分布和电子运动 从而导致二次电子发射和电荷 同于普通阴极射线管- .= 的阳极和阴极 ,0 %’ ) 积累效应 为比较不同发射结构中这种负面影响的大小 对 ’ 间距很小 再考虑到他们被真空封接在一起 -$ .= 种常见阴极模型中电子运动轨迹进行了模拟 采用有限元 ( ) 时内部真空度很高 即使是真空室内外 -$B++ .= 37 法计算带有介质支撑墙的 电场分布 采用 / #$ *+,-. 气压差引起的微小形变对电场分布的影响也会是致 法计算该空间电子轨迹 得出了支撑墙对 电子 0+112 #$ 命的 为了确保整个显示区域内阴极 阳极间距严格 轨迹影响的数值结果 模拟结果显示 在三极型和四极型 聚 J ’ ! 一致 必须加入支撑结构 焦型 结构中 支撑的引入不可避免地会带来二次电子发射 = J % 显然 支撑的引入势必对电场分布产生影响 进 和电荷积累效应 与之相反 平面型发射结构则很好地避免 =