Si中30度部分位错弯结运动特性的分子模拟.pdfVIP

【文章编号】1001．246x12008)04．0488．05 Si中30度部分位错弯结运动特性的分子模拟 王超营， 孟庆元， 李成祥， 钟康游， 杨志伏 (哈尔滨工业大学航天科学与力学系。黑龙江哈尔滨15000I) [摘 要】 首先使用分子动力学方法(MD)得出了左弯结(LK)和右弯结(RK)在不同温度和剪应力作用下 eI酗ticband(NEB)方法计算LK和RK的迁移势 的速度特性和运动过程．然后利用基于紧束缚势(TB)的nudged 垒．由计算结果得出，单个LK或RK的势垒很高，运动速度相对较慢；u(中的多弯结对结构和由RK分解产生 的右弯结一重构缺陷(RC)能够加速位错运动；其中，RC能促进30。部分位错更快地迁移． 【关键词】 30。部分位错；分子动力学；NEB；弯结；迁移势垒 [中图分类号] 0411．3；0474 [文献标识码】 A O 引言 Si材料具有资源丰富、特性优异和工艺日趋完善等综合优势，被广泛应用于各类半导体器件的生产中． 由于它和当代电子工业的发展密切相关，一直是理论和实验所关注的对象¨q1．但是在利用化学气相沉积 cm。)¨】，严重影响了半导体 (CVD)等方法生长半导体薄膜的过程中，会在界面处产生高密度的位错(约1012 器件的电学和光学特性．因此，在高品质、低位错密度半导体器件的研究中，位错的运动特性是一个非常重要 的问题． 分解为RC+RD结构¨1． 本文以30。部分位错中人们最关注的缺陷形式LK和RK作为研究对象，利用分子动力学方法研究了LK elastie 和RK在不同温度和压力下的速度特性和运动过程，利用NEB(nudgedband)方法归。计算LK和RK的 迁移势垒，以期从原子尺度揭示300部分位错的运动特性． 图l 300部分位错位错芯重构后的主要缺陷(深色部分表示层错区) Maindefectsona陀com￡nlcted di8location hult Fig．1 line(7rhe are鹳) 30。panial graypan8姗stackiIlg 1分子动力学模型建立 中引入了柏式矢量完全相反(±西)的位错偶极子，使整个模型的柏式矢量为零．其中U(模型三边分别为c。 [收疆日期]2嘶一04一∞；C修回日期】2007一凹一22 【作者简介】王超营(1粥l一)，男，河南，博士生，从事计算机分子模拟方面的研究，哈尔滨工业大学344信箱15000l 万方数据 第4期 王超营等：Si中30度部分位错弯结运动特性的分子模拟 =4[111]，c2=12[112]，c3=11．5[110]，包含6 =10．5[110]，包含6 048个原子，并且所有模型中的位错线方向都为[1lO]．在建立偶极子的时候，为了降低 两个位错之间运动时的相互作用，将它们分别建于c：／4和3c：／4处，使位错线之间的间隔为c，，2．同时对于 模型中的每个原子，利用Hinh和Lotheb。的位移场公式，计算出偶极子在该原子处的螺型分量和刃型分量， 并且和模型四周的16个映像位错在该点的位移进行叠加，得出该点的真实位移，并将原子进行相应的移动． 叠加遍历模型中所有原子之后，得到了含有位错偶极子的初始构型． 由于位错偶极子的引入和周期性边界条件的使用，模型中两根位错线之间以及偶极子和周围映像之间 存在着相互作用．因为位错线沿c，方向，所以只考虑模型尺寸中c．和c：的取值对模拟结果的影响．wei Cai[1l 能量值与收敛值只有很小的差别(小于O．05eV)，完全可以忽略．在之后刃型位错的计算中，也得出了相似的 结果．我们所建立的RK和LK的初始构型尺寸比weiCai…1得出的开始收敛尺寸大，而且考虑到在其后的分 子动力学计算中所加的应力条件比较大(O．25GPa一2．5GPa)，