VGF法生长4英寸GaAs单晶固液界面形状和热应力的数值模拟研究.pdfVIP

第35卷第3期 稀 有 金 属 2011年5月 模拟研究 涂 凡，苏小平+，张峰黻，黎建明，丁国强，王思爱 (北京有色金属研究总院北京国晶辉红外光学科技公司，北京100088) 长过程中固液界面形状经历了由凹到凸的变化。数值模拟结果表明熔体中和晶体中的轴向温度梯度之比小于0．4时，固液界面为凸向熔体， 与理论推导结果一致。模拟了晶体生长过程中固液界面附近的晶体中的热应力值，发现固液界面为平界面时晶体中的热应力具有最小值。推 导计算了VGF GaAs单晶生长过程中固液界面凹(凸)度的I临界值，当固液界面凹(凸)度小于该值时，晶体中的热应力低于临界剪切应力。 关键词：数值模拟；垂直梯度凝固技术；GaAs；固液界面；热应力 1．03．013 doi：10．3969／j．issn．0258—7076．201 中图分类号：0472文献标识码：A 文章编号：0258—7076(2011)03—0388—06 InterfaceandThermalStressinGrowthof4．InchVGF．GaAs Solid．Liquid NumericalSimulation SingleCrystalby Tu Siai Fan，SuXiaoping’，ZhangFengyi，LiJianming，DingGuoqiang，Wang InfraredOptical‰砌蚴Co．，Ltd，GeneralResearch加础砒加Non—Ferrous (Guojing was to interface the4-inchVGF—GaAs Abstract：Thenumericalsimulation simulatethe employed solid·liquid shapeduring sin出e from demonstrated wasfoundthattheinterfacehad adeflectionconcavetoconvex．Thesimulationresult cr)rstalgrowth．It experienced thattheinterfacewouldbecollvextothemeltwhentheratiooftheaxial inthesolidtothatinthemeltwassmaller temperaturegradient than wasin withthe thermalstressinthesolidificationfrontwas wasthesmallest 0．4，whichagreementtheory．The calculated，which whentheinterfacewas maximumallowabledeviationofthe from WaScalculated．Thesolidifica- flat．The interface solid—liquid planafity tionfrontsustainedathermalstresswhichwassmallerthan resolvedshear theinterfacedeflectionWag CRSS(critical stress)when smallerthanthemaximumallowabledeviation．