V型特性PTC材料的复阻抗解析.pdfVIP

硅酸盐学报980108.htm 硅酸盐学报 科技期刊 JOURNAL OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY 1998年 第26卷 第1期 V型特性PTC材料的复阻抗解析 王德君　　邱军　　郭淳　　桂治轮　　李龙土 (清华大学材料科学与工程系) 　　摘要　采用复阻抗解析法研究了V型特性PTC材料(Sr Pb )TiO的晶粒和晶界的电学性能. 结果表明，V型 0.45 0.55 3 PTC效应来源于材料的晶界，V型PTC效应是一种晶界效应. 　　关键词　钛酸锶铅，正温度系数热敏电阻，V型PTC材料，晶粒，晶界，复阻抗 　　常见的钙钛矿型正温度系数热敏电阻材料(以下简写为PTCR，positive temperature coefficient resistor)材料主 要有BaTiO ［1—4］ ，(Ba,Pb)TiO和(Sr,Ba)TiO等 ，它们的电阻率在Curie温度以上随着温度的升高显著提高，而 3 3 3 在Curie温度以下电阻率随温度变化不明显. (Sr, Pb)TiO 3陶瓷是1988年由日本科学家浜田宗光等发现的一种新型热 ［5，6］ ［5—8］ 敏电阻材料 . 这种材料通常显示NTC和PTC复合的V型PTC特性 ，即材料的电阻率除了在Curie温度 以上具有PTC效应外，在Curie温度以下还具有较强的NTC效应. 这种多功能特性在应用上能够弥补传统PTC材料 ［5—8］ 的某些不足，因而它的研究受到了人们的重视 . 　　关于V型PTC效应的产生机理，文献［5］认为PTC效应的产生原因与传统PTC陶瓷的PTC效应相同，即随着 材料由四方相向立方相转变，晶界势垒猛增，使得材料电阻率急剧增大，这一点得到了人们的认同. 对于NTC效 应，文献［5］认为NTC效应与晶界无关，而受晶粒导电特性的控制. 文献［5］还提出，材料的NTC效应与施主 材料中是一种深 能级的深度有关，较强的NTC效应是由于深施主能级引起的，即认为半导化元素钇在(Sr,Pb)TiO 3 能级杂质.杂质能级越深，电离能越大，因此材料的电阻率受温度的影响越显著，即产生较强的NTC效应.这一深 能级观点尚缺乏足够的实验证据. 　　复阻抗分析方法是研究多晶陶瓷材料晶粒晶界电学性质的有效方法，通过复阻抗分析，可以分离出材料的 晶粒和晶界电阻，因而这种方法也是研究多晶材料导电机构的有效方法.单一特性PTC材料的复数阻抗分析见诸 ［9，10］ 报道的研究很多 ，而对于具有NTC-PTC复合特性的V型特性PTC材料的研究尚未见报道. 本研究采用复阻 抗法分析V型特性PTC材料晶粒和晶界的电学性能，从实验上直接获得晶粒和晶界电阻随温度的变化规律，结果 获得了与文献［5］观点不同的结论，即材料的NTC效应与材料的晶界行为密切相关，V型PTC效应是一种晶界 效应. 万方数据 file:///E|/qk/gsyxb/980108.htm（第 1／6 页）2010-3-22 20:25:42 硅酸盐学报980108.htm