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沉积温度对电沉积PbS薄膜结构和性能的影响.pdf
第38卷第4期 人 工 晶 体 学 报 v。1．38№．4
OFSYNTHETICCRYSTALS
Augu8t，2009
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沉积温度对电沉积PbS薄膜结构和性能的影响
韩文1’2，曹丽云2，黄剑锋2，王吉富3
(1．陕西科技太学化学与化工学院，西安710021；
2．破西科技大学教育邦轻化32助刹化学与技术霉点实验宦．西蜜710021；3．西安通讯学院，强螯710106)
傅立§}变换红夕}党谱仪(fT-IR》对薄骥的缩褥穗惩学燕蔻透行了蒗德，磺究了沉积懑凄对薄溪鲍棵缓成、显徽形貔
以及光学性质的影响。结聚表明：在U；3
V，畔=2．5，T=60℃，沉税时黼为20rain，期入EDTA作络舍剂的情蕊
下，可制备出沿(111)和(200)晶面取向生长的我方相PbS薄膜。薄膜照微结构均匀而致密，随着反应温度从20℃
增加到60℃，薄膜内的压腹力逐渐减小，綮帮宽度也随着变小。所制备的微晶PbS薄膜的禁带宽度约为0，39eV。
关键词：PbS薄膜；电派积；沉积温度；光学性能
串霭分类号：TN213 文献撩识璃：走
Influenceof OiltheStructure
Deposition and
Temperature Properties
ofPbSThinFilms
Preparedby
Electrodeposition
／／AN
Wenl”，CAO
Li．yan2，HUANGJian-fen92，WANG五缸3
(1。Collegeofe孙蕊螂and ofSoiree
ChemicalEl蛹neving，Sh鼬撼UniversityandTechnology。xi赫710021，Chin8；
2。KeyLaboratorydAnxiliaryChemis☆y覆Technologyforb出Che癍calIndustryl
Science＆Tedmolo嚣，甄缸710021，ClliM；3．强缸CommunicationInstitute，磁缸710106。China)
(飙洲29October2008)
thinfilmswere
Abstract：PbS onITOsubstrates method．The
prepared usingeletmdepositionoptical
andstructure
of出ethinfilmswerecharacterized
properties X-r8y force
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