稀土和几种典型半导体材料的价电子结构和物性.pdf

。产．1匕lU，J人。’≯fi|；fI’≯f一沦乏 摘 要 ?F导体材料在信息通讯领域具有广泛的廊川，成为国际学术届1卜常活跃的研究热点之 一。近年发现，F导体材料具有光一电能量转换特征，在太冈l能方面虑用具有潜在廊JH3。本文 在前人实验和理论：l：作基础之上，应用《同体与分子经验电子理论》系统研究了半导体材料 在电输运和能量转换过程中的电子结构、体系的能量及物理性能，揭示其基本的机理。获得 的主要结果如下所示： 1．半导体材料Si、Ge的研究表明：它们的价电子杂化态都处丁第6阶，共价电子对数： nc=0．97，泡令作用系数：B=0．7l。基于价电子结构计算结果，计算得两种元素的结合能 分别为464l【J／mol和384kJ／mol，与实验值446kJ／mol和372l(J／mol相符。 2．稀士Gd和1rb元素的价电子结构和物理性能的研究表明：在不考虑4f电子的情况 下，计算结果显示：Gd和Tb原子的s，p，d电子分布相似，这可以用于解释它们具有相近的 物理性能。结合能计算显示Tb原子的计算值与实验值的相对误差理论值明显高予Gd原子， 这表明Tb原子的4f电子更易成键，故对于结合能有贡献。从两种原子的单原子的轨道稳定 性来看，Gd的单原子态符合洪特半满规则特例，故相对于n原子来说，不易成键。熔点 计算结果与实验符合很好，这说明4f电子对于Gd和Tb的熔点基本上无影响。这归于高温 磁无序，在熔点附近磁电子整体排列无序对于熔点几乎无影响． 3．太阳能候选材料CdS的研究表明：具有纤锌矿结构和闪锌矿结构的CdS中的Cd原 子和S原子的价电子态均处于第四阶；它们的价电子分布相似，化合物中的Cd-cd，S—S， S—Cd键长相近，计算的两种结合能差异小，可解释了实验中两相并存的现象。而结合能计 算结果表明，纤锌矿结构的Cds具有更高的理论结合能值，故稳定性更高。键能计算表明： 容易转动．从而导致了价电子分布的变化。以上分析表明，高压相变的产生依赖于强键的转 动和弱键的断裂．这些都起源于晶体的各向异性。 4．乙Io的价电子结构计算和分析表明·电子结构分析显示晶格电子的提供者为zII原 子的缸电子，导电性主要取决于4鑫电子．这与第一性原理结论相同。与金属锌的13杂阶 由于外层曩层电子和d层电子数都有所增多。锌氧化造成了部分3p层电子转化为3d和4s 电子，从而导致了性能的变化l根据同体与分子经验电子理论推测：掺杂半导体的类型依赖 予掺杂原子提供的价电子数目。 ． 关键词。EET；价电子结构；结合能：熔点l带隙： ‘产．II=IU，J人。’≯fi!j!I·’≯f一论殳 Abstract Tlle on mat耐alis伽eofactive ductoits on11’ stIldys锄iconductoring topics application haVeattracteda dealofattentionduetotlle 0n indust阱Ill他cent冶瑙，it great p1．0pc帆yenergy conVe侣ion t0electric new on ofs锄iconductor fbm∞lar饥e唱y pow既It豫w强lsapplication totIIe studi懿∞bomth∞retical柚d ∞l耵cclls．Accordingpre、，ious c)【p耐mental他s朗托h髑，the electrionic usedto chamct耐stic3ofthe∞ 啪pirical tll∞叮(EET)isstlldytlle∞special s锄iconducto鹉．Ther