《InGaN／GaN多量子阱蓝光LED的p-GaN盖层的MOCVD生长研究》.pdfVIP

维普资讯 兴 电 子 ·撒 光 第 17卷 第 5期 2006年 5月 JournalofOptoelectronics·Laser Vo1．17No．5 May2006 InGaN／GaN多量子阱蓝光 LED的p-GaN盖层的 MOCVD生长研究 牛南辉一 ，王怀兵 ，刘建平，刘乃鑫，邢燕辉，韩 军，邓 军，郭 霞， 沈光地 (北京工业大学电控学院光电子技术实验室，北京 100022) 摘要：利用金属有机物化学气相淀积 (MOCVD)生长了InGaN／GaN多量子阱(MQW)蓝光发光二极管 (LED)，研究了不同Cp。Mg流量下生长的FGaN盖层对器件电学特性的影响 结果表明，随着Cp2Mg 流量的提高，漏电流升高，并且到达一临界点会迅速恶化i正向压降则先降低，后升高。进而研究相同生 长条件下生长的p—GaN薄膜的电学特性、表面形貌及晶体质量 ，结果表明，生长p—GaN盖层时，CpzMg 流量过低 ，盖层的空穴浓度低，电学特性不好 ；CpMg流量过高，则会产生大量的缺陷，盖层晶体质量与 表面形貌变差 ，使得卒穴浓度降低，电学特性变差。冈此，生长 p-GaN盖层时，为使器件的正向压降与 反向漏电流均达到要求，CpzMg流量应精确控制。 关键词 ：GaN；伏安特性；发光二极管 (LED)；金属有机物化学气相淀积 (MOCVD) 中图分类号：TN3O3；TN304 文献标识码 ：A 文章编号：1005—0086(2006 Investigationsofp-GaN caplayersofInGaN，／GaNMQW BlueLEDsgrownby M OCVD NIU Nanhui ，WANG Huai～bing，LIU Jian—pi。ng，LIU Nai—xin，XING Yahhui， HAN Jun，DENG Jun，GUO Xia，SHEN Guang—di (BeijingOptoelectronicTechnologyLaboratory，BeijingUniversityofTechnology，Beijing100022，China) Abstract：InGaN／GaNMQW bluelightemittingdiode(LED)structureswhosep—GaNcap layersweregrownwithvariousflow ratesofCp2Mgandp-GaNfilmswiththesamegrowth conditionsweregrownbyMOCVD．TheLEDswerefabricatedandcharacterizedby f_ measurementinordertoinvestigatetheeffectsofthisvariedgrowthconditionOl3theelec— tricalcharacterofthedevices．AstheCp2Mgflow rate increased，theforwardvoltageof theLEDsdecreasedatfirstandthenincreasedatacertainCp2Mgflow rate，andtheleak— age currentincreasedwithoutdiscontinuity．Itwasfoundthatlow Cp2Mgflow ratecanlead tolow hole concentrationand poorelectricalproperty ofthe D—GaN cap layer，buthigh Cp2Mgflow ratemadethesituationevenworse，thesurfacemorphologyandcry