变掺杂GaAs光电阴极特性及其评估的研究.pdf

博士论文 变掺杂GaAs光电阴极特性及评估研究 摘 要 为了更深入地研究和发展变掺杂GaAs光电阴极的相关理论与技术，探索我国 高性能三代微光像增强器的发展途径，本文在变掺杂GaAs光电阴极的光电特性、 制备实验和性能评估等方面进行了相关的研究。 针对变掺杂GaAs光电阴极光电发射特性中的基础理论问题，采用理论推导、 数字仿真和模拟计算的方法，研究了指数掺杂GaAs光电阴极电子扩散漂移长度的 理论表达式，建立了电子扩散漂移长度LDE同指数掺杂系数么和均匀掺杂情况下材 料的电子扩散长度易之间的数值计算关系。研究了指数掺杂GaAs光电阴极量子效 率的等效求解方法，简化了求解过程。研究了变掺杂结构对阴极电子发射性能的影 响机理，发现变掺杂阴极内建电场的存在，不仅能够提高光电子到达阴极表面的数 量，同时还使表面电子的能量分布向高能端偏移，从而使电子的逸出几率得到提高。 根据变掺杂GaAs光电阴极的理论研究结果，针对变掺杂技术实用性的问题， 采用实验验证的方法，研究了变掺杂GaAs光电阴极电子扩散漂移长度理论表达式 的正确性，发现计算结果同实验结果具有很好的一致性。研究了变掺杂技术应用于 透射式GaAs光电阴极的可行性，发现阴极组件制备过程不会破坏阴极的变掺杂结 构，而且变掺杂的透射式GaAs光电阴极具有较高的光谱积分灵敏度。研究了激活 时系统真空度对MBE变掺杂GaAs光电阴极低温激活效果的影响，发现当系统真 空度达到1×10谓Pa以上时，能够使低温激活灵敏度比高温提高30％以上。 在实验基础上，针对变掺杂GaAs光电阴极评估技术不完备的问题，采用理论 分析和数学建模的方法，研究了激活过程中Cs在阴极表面的吸附效率，实现了对 不同表面掺杂浓度的GaAs阴极材料在不同系统真空度条件下激活时，Cs在阴极表 面吸附效率的理论评估。研究了Cs—O激活后NEAGaAs光电阴极表面势垒的评估 技术，提出了利用激活中不同阶段阴极光电流的峰值比求解NEA表面势垒参数的 方法。对阴极高、低温激活后的NEA表面势垒参数进行了评估，揭示了“高一低 温两步激活过程中阴极表面势垒的变化特点。研究了变掺杂GaAs光电阴极结构 性能的评价方法，建立了变掺杂GaAs光电阴极量子效率理论模型，并实现了对阴 极结构性能的客观评价。对两种不同变掺杂GaAs光电阴极的结构性能进行了评估， 发现了阴极发射层结构设计中存在的缺陷，为指导阴极结构的优化设计提供了有效 的分析手段。 关键词： GaAs光电阴极变掺杂量子效率光电特性制备评估 博七论文 变掺杂GaAs光电阴极特性及评估研究 Abstract In and ofvaried orderto and the GaAs theory studydevelope technologydoping in a routeofnational photocathodesdepth，andexploredevelopment highporformance third LLL generationimageintensifier,thephotoelectric evaluationofvaded GaAs were experiment，andperformance doping photocathodes inthis investigatedpaper． atthefoundationaltheoretical aboutthe Aiming questions photoemissiveproperty o