硅表面硅镱键合 量子级联结构de发光参考.pdfVIP

第 卷第 期 强 激 光 与 粒 子 束 , 27 7 Vol.27 No.7 年 月 , 2015 7 HIGH POWERLASERANDPARTICLEBEAMS Jul. 2015 硅表面硅镱键合与量子级联结构的发光* 1 1 1 1 1 2 3 3 董泰阁 , 黄伟其 , 黄忠梅 , 王 刚 , 苗信建 , 吕 泉 , 刘世荣 , 秦朝建 ( , , ; 1.贵州大学 纳米光子物理研究所 光电子技术和应用重点实验室 贵阳 550025 , , ; 2.复旦大学 表面物理研究所 物理部 上海 200433 , ) 3.中国科学院 国家矿床地球化学重点实验室 贵阳 550025 : , 摘 要 用纳秒强激光脉冲制备了纳米硅和硅表面的硅镱键合结构 检测了纳米硅表面硅镱键合的发光 , ( ) ( ) 。 特性 并对这种结构相应的光致发光 PL和电致发光 EL的动力学机理进行了研究 观察到纳米硅表面硅镱 , ; 键合在 700nm附近尖锐的强发光峰 结合第一性原理计算认为是硅镱键合在弯曲纳米硅表面的局域态发光 ( ) , , 利用纳秒脉冲激光沉积技术 PLD制备多晶硅薄膜 发现由硅镱界面的失配形成表面的突触 其上的硅镱键合 , , ; 产生带隙中的电子局域态 该局域态发光分布在 1250~1650nm波长范围 有增强的EL发光 用 PLD方法制 , , 。 备硅镱多层膜量子级联结构 测量到光通信窗口的多个发光峰 并观察到随膜层数增加且发光峰增多 : ; ; ; 关键词 光致发光 电致发光 调节波长 量子级联 Si-Yb 中图分类号: 文献标志码: : / O482.31 A doi10.11884HPLPB201527.074103 , , 硅基光源或者硅基激光对于硅芯片集成光子的研发具有重大的意义 然而由于硅本身的限制 本征硅的