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30 半导体情报 第 37 卷　第 2 期　2000 年 4 月 硅片清洗原理与方法综述 刘传军　赵 权　刘春香　杨洪星 电子四十六所, 天津　300220 摘要　对硅片清洗的基本理论、常用工艺方法和技术进行了详细的论述, 同时对一些常 用的清洗方案进行了浅析, 并对硅片清洗的重要性和发展前景作了简单论述。 关键词　硅片　清洗　湿法化学清洗 中图分类号: TN 3052　文献标识码: A 　文章编号: 2000 23007 Theory and M ethod of Silicon W afer Clean ing L iu Chuan jun , Zhao Q uan , L iu Chunx iang, Yang Hongx ing T he 46 th Institu te E lectronics , T ianj in 300220 Abstract　In th is paper , the m ethods and m echan ism of silicon w afer clean ing are p re sen ted. Som e cases u sing silcon w afer clean ing are discu ssed. T he im po rtance and ten dency of silicon w afer clean ing are also given b riefly. Keywords Silicon w afer C lean ing W et chem ical clean ing 工序都有硅片清洗的问题, 硅片清洗的好坏对 1　引　言 器件性能有严重的影响, 处理不当, 可能使全 随着大规模集成电路的发展, 集成度的不 部硅片报废, 做不出管子来, 或者制造出来的 断提高, 线宽的不断减小, 对硅片的质量要求 器件性能低劣, 稳定性和可靠性很差[ 1～ 3 ] 。因此 也越来越高, 特别是对硅抛光片的表面质量要 弄清楚硅片清洗的方法和原理, 不管是对于从 求越来越严。这主要是因为抛光片表面的颗粒 事硅片加工的人, 还是对于从事半导体器件生 和金属杂质沾污会严重影响器件的质量和成品 产的人来说都有着重要的意义。 率, 对于线宽为 035m 的64 兆DRAM 器件, 正是由于硅片清洗是半导体器件制造中最 影响电路的临界颗粒尺寸为 006m , 抛光片 重要最频繁的步骤, 而且其效率将直接影响到 的表面金属杂质沾污应全部小于 5 ×1016 at 器件的成品率、性能和可靠性, 所以国内外对 cm 2 , 抛光片表面大于 02m 的颗粒数应小于 清洗工艺的研究一直在不断地进行[ 3～ 12 ]。现在 [ 1 ] 人们已研制出了很多种可用于硅片清洗的工艺 20 个片 。在目前的集成电路生产中, 由于硅 抛光片表面沾污问题, 仍有 50% 以上的材料被 方法和技术, 常见的有: 湿法化学清洗、超声 [ 2 ] 清洗法、兆声清洗法、鼓泡清洗法、擦洗法、高 损失掉 。 在硅晶体管和集成电路生产中, 几乎每道 压喷射法、离心喷射法、流体力学法、流体动 收稿日期: 1999- 07- 12 第 37 卷　第 2 期　2000 年 4 月 半导体情报 31 力学法、干法清洗、微集射束流法、激光束清 限[ 10 ] , 当污染在该容限之下, 污染对器件的电 洗、冷凝喷雾技术、汽相清洗、非浸润液体喷 特性、成品率、可靠性的影响急剧下降。当污 射法、硅片在线真空清洗技术、 标准清洗、 染超过该容限时, 影响显著上升, 只要污染在 RCA 等离子体清洗、原位水冲洗法等。这些方法和 容限之下, 尽管硅片表面并非绝对洁净, 仍认 技术现已广泛应用于硅片加工和器件制造中的 为硅片表面是相对洁净的。如污染在容限之上, 硅片清洗。 则认为硅片是非洁净的。 完好的硅片清洗总是去除沾污在硅片表面 2　硅片清洗的基本理论 的微粒和有害膜层, 代之以氧化物的、氮化物 为了更有效地利用各种硅片清洗的工艺方 的或其它挥发元素 或分子 的连续无害膜层, 法和技术手段, 以便获得一个非常洁净的硅片 即具有原子均质的膜层。硅片表面达到原子均 表面和高的清洗效率, 我们首先要对硅片清洗 质的程度越高, 洁净度越高, 反之, 洁净度越 的基本理论有一个全面的理解和掌握。下面对 低。 硅片的表面状态、表面洁净度、吸附理论、表 2 2　吸附理论 面沾污杂质的来源与分类等基本理论进行介 硅片表面是硅晶体的一个断面, 由结晶学 绍, 并给出硅片清洗的一般程序。 可知,