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氢稀释对非晶硅碳合金薄膜生长和光学特性的影响
E 2004, 34(5): 525~532 525
(a-SiC:H)
*
( , 650092;
, 100083)
PECVD , ([CH ]/[SiH ] = 1.2)
4 4
(R = [H ]/[CH +SiH ] = 12, 22, 33, 102 135)
H 2 4 4
(a-SiC:H). - (UV-VIS)(IR)
Raman (PL)
. (1.92 2.15 eV).
1250 ,
2.1 eV. Raman , ,
Si-C Si-O .
(a-SiC:H),
, [1] [2] [3] [4]
[5] [6,7]
.
a-SiC:H[8].
. ,
[9]
, .
(500 mW/cm2)a-SiC:H
, (20~50
mW/cm2)(silane-plasma-starving)[10,11].
([CH ]/[SiH ] = 1.2) , (R =
4 4 H
2003-11-04 , 2004-02-06
* (973)(: G2000028201)
SCIENCE IN CHINA Ser. E Engineering Materials Science
526 E 34
[H ]/[CH + SiH ] = 12, 22, 33, 102 135).
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