掺杂AlN的理论和实验的研究.pdf

摘 要 氮化铝（AlN ）是直接带隙宽禁带（~6.2 eV ）III-V 族半导体材料，在短波长光电 子器件领域具有重要应用价值。但是，实现 AlN 材料在光电器件上的广泛应用还面临 重大挑战－难以获得有效的 p 型层。利用第一性原理的全势－线性缀加平面波 (FP-LAPW)方法，我们研究了纤锌矿 AlN 材料的本征缺陷及 IIA 族元素（Be, Mg 和 Ca ）掺杂AlN 的p 型效率。结果表明氮空位(VN)在 AlN 材料中具有低的形成能并引入 较深的施主能级，而在闪锌矿 AlN 和 GaN 中，VN 引入浅施主能级。计算得到的 BeAl ， MgAl 和 CaAl 在 AlN 中引入的受主能级深度分别为0.48, 0.58 和 0.95 eV 。在p 型AlN 中， 处于间隙位置的 Be （Be ）表现为施主且具有较低的形成能，这使得它们很可能成为p i 型 AlN 中空穴的复合中心，然而，在富氮（N-rich ）生长条件下Be 的形成能明显提高。 i 研究结果表明，Be, Mg 和 Ca 在 AlN 中的p 型掺杂效率受到杂质本身原子尺寸和电负 性的影响；三种杂质中，Be 可能是制备p 型 AlN 更有效的杂质；N-rich 生长条件有助 于提高杂质在 AlN 中的含量。 近年来，稀磁半导体受到越来越多的注意。本论文运用FP-LAPW 方法研究了6.25% 含量的 Mg 和 Ca 掺杂 AlN （Al15XN16, X=Ca/Mg ）的磁性质。Ca 掺杂 AlN 的电子态 密度在费米能级附近 100% 自旋极化，具有半金属磁性质。磁矩主要分布在由杂质 Ca 和其最近邻的四个 N 构成的 CaN 四面体内部，得到的总磁矩为 1 μ /Ca 。对 12.5%掺 4 B 杂量的 AlN （Al Ca N ）总能量计算结果表明晶胞的铁磁态总能量比反铁磁态总能量 14 2 16 低约 32.6 eV，由此估算出的铁磁居里温度在300 K 附近。Mg 掺杂 AlN 的性质与AlN:Ca 很相似，但是后者具有更大的半金属带隙和更稳定的铁磁基态，这表明 AlN:Ca 比 AlN:Mg 更适合作为自旋注入材料。既然杂质本身没有磁性，用 Mg/Ca 掺杂 AlN 将可 避免通常用磁性杂质掺杂所带来的磁沉积问题，在自旋电子学领域将具有潜在应用价 值。 已有的研究结果表明，稀土掺杂半导体发光材料的温度淬灭效应严重受基体材料 禁带宽度的影响－在宽带隙能的基体材料中稀土发光的温度淬灭效应更小。因此，稀 土掺杂宽禁带的 AlN 半导体有望可以得到高效、受温度影响小的发光器件。在本论文 I 中，我们重点研究了 AlN 及稀土（Er, Eu 和 Tm ）掺杂AlN 的结构和光学性质。薄膜 制备采用通常的磁控溅射。对于制备的 Er 掺杂 AlN 薄膜，X-射线衍射测试表明所制备 的样品为无定型薄膜，样品展示了强烈的室温光致发光光谱，可见光范围最强的绿光 3+ n 2 4 4 发射 (~539 和560 nm)源自Er 4f 轨道的 H12 和 S3/2 到 I15/2 能级的跃迁；对于AlN:Eu ， 我们研究了不同生长条件和退火温度下样品的 PL 光谱。在激励光辐射下，样品不仅发 出了红光（~613 nm ），还出现了波峰位于~407 nm 附近的紫光发射。红光对应于 Eu3+ 4f n 轨道内部能级跃迁，而紫光可能与 Eu2+离子的 5d-4f 能级跃迁有关。用磁控溅射我们还 制备了夹层结构的 Tm 掺杂 AlN 薄膜。XRD 测试表明制备的样品经退火处理后出现了 六方 AlN 的衍射峰。光致发光测试观察到了源自 Tm3+ 1