《《薄膜成长技术》》.pptVIP

第四章 薄膜成長技術 薄膜成長或者稱薄膜沈積(Thin Film Deposition)技術，是指在一基板上(Substrate)成長一層同質(Homogeneous Structure)或者是異質(Hetero-structure)材料之技術。 金屬層、複晶矽薄膜(polycrystalline silicon)、二氧化矽(SiO2)、氮化矽(Si3N4)層都適用此種方法來沉積薄膜層。 4-1 薄膜沈積之原理 薄膜沈積技術可分為化學氣相沈積(Chemical Vapor Deposition, CVD)和物理氣相沈積(Physical Vapor Deposition, PVD)二種方法。而化學氣相沈積方法在半導體工業上最常用的是低壓化學氣相沈積方法(Low Pressure Chemical Vapor Deposition, LPCVD)與常壓化學氣相沈積方法(Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition, APCVD) 以LPCVD為例，要生成薄膜的材料是與爐管的溫度及注入爐管的氣體種類有關 爐管的溫度高於550℃＋SiH4→複晶矽薄膜 爐管的溫度約485℃ ＋Si2H6 →複晶矽薄膜 氧氣和SiH4在爐管內→二氧化矽(SiO2)層 氨氣和SiH2Cl2在爐管內→ Si3N4 物理氣相沈積方法，最常用的是金屬濺鍍機(Sp