Ni-Al-O高k材料PbZr0.2Ti0.8O3%2fTi-Al-O异质结集成.pdfVIP

摘 要 摘 要 采用脉冲激光沉积法制备 Ni-Al-O 或 Ti-Al-O 高 k 薄膜，采用溶胶-凝胶法制备 PbZr Ti O (PZT)铁电薄膜，构架了 Pt/Ni-Al-O/Pt (MIM) 、Pt/Ni-Al-O/Si (MOS)和 0.2 0.8 3 Pt/PZT/Ti-Al-O/Si (MFIS) 电容器。分别采用X 射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、 铁电测试仪(Precision LC Unit)、LCR 表和 Keithley 表研究了样品的结构、表面形貌、 铁电性能等。 采用Ni Al合金靶，通过反应脉冲激光沉积方法在Pt/Ti/SiO /Si (111)和n-Si (001)衬 3 2 底上制备了Ni-Al-O薄膜，研究了快速退火温度对薄膜结构和电学性能的影响。实验发 现，薄膜经过750 ℃退火后是非晶的，表面平整，均方根粗糙度小于0.5 nm 。MIM 电 容器的介电常数随频率的增大而减小，介电损耗先减小后增大。MOS 电容器的电学测 试显示，700 ℃退火的样品有较高的介电常数，较低的漏电流密度。 应用脉冲溅射沉积技术分别采用两步生长法和一步生长法在n-Si (001)基片上构 架了Pt/Ni-Al-O/Si 电容器，对两步法和一步法生长样品的电学特性和界面特性进行了 研究。实验发现，采用两步生长法(第一步室温充氧生长，第二步加温生长)生长Ni-Al-O 薄膜的介电常数较大，氧化物内存在的固定电荷最少，界面态密度最小(4.45×1012 eV-1 cm-2) 。 应用反应脉冲溅射沉积技术在Si基片上采用两步法生长了Ti-Al-O薄膜，通过溶胶 -凝胶法在Ti-Al-O/Si和Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备了PZT薄膜，构架了Pt/PZT/Pt 电容器和 Pt/PZT/Ti-Al-O/Si MFIS结构。实验发现，550 ℃退火的PZT薄膜的剩余极化强度较大， 漏电流密度较小。MFIS结构的C - V 曲线呈现滞后现象，随着外加电压的增大，记忆窗 口不断增大，10 V时其记忆窗口为3.36 V，-15 V时电容器的漏电流密度仅为4×10-5 A/ 2 cm 。 关键词 高k栅介质 Ni-Al-O PZT /Ti-Al-O异质结 集成 I Abstract Abstract The different capacitors, Pt/Ni-Al-O/Pt (MIM), Pt/Ni-Al-O/Si (MOS) and Pt/ PbZr0.2Ti0.8O3 (PZT) / Ti-Al-O / Si (MFIS) capacitors, have been successfully fabricated, in which Ni-Al-O and Ti-Al-O dielectric thin films were fabricated by pulsed laser deposition and PZT ferroelectric thin films were prepared by sol-gel method. X-ray diffraction (XRD), Atomic force microscopy (AFM), precision Materials Analyzer (Precision LC Unit), Agilent LCR Meter and Keithley System are used to examine the microstructure, morphology and ferroelectric properties of the samples,