氧化法制备基sige弛豫衬底的研究.pdfVIP

摘 要 Si基SiGe异质结构因其优良的性质，与成熟的Si工艺相兼容，成为制备高性 能硅基微电子与光电子器件的重要材料。SiGe弛豫衬底克服了SiGe晶格失配的限 制，是实现高性能Si基SiGe光电子与微电子器件集成的理想平台。传统的SiGe 弛豫衬底的制备方法是采用Ge组分渐变缓冲层，为了获得较高的Ge组分，其外 延厚度达数ttm．外延非常耗时，且表面粗糙度较大，需进行化学机械抛光，成本 很高。因此需要寻找一种能够制备表面平整、表面Ge组份较高、厚度较薄的有效 的弛豫衬底的方法，以降低成本和方便后续器件制作工艺。 本文以制备Si基SiGe弛豫衬底为目的展开研究，采用氧化低Ge组分SiGe 实现Ge的浓缩，成功制备了厚度较薄、Ge组分较高的Si基SiGe弛豫衬底。本论 文主要开展了以下几个方面的工作： l、依据Si氧化模型，分析了SiGe氧化的物理过程，建立SiGe氧化动力学模型 分析了氧化时间与氧化厚度的关系。从实验数据中提取出不同氧化条件下的模型 参数，并指出模型参数随氧化温度和Ge组份的变化趋势。 位错密度为1．2x105cm-2． ②通过干法和湿法氧化SiGe过程中氧化自停止实验数据的分析，提出SiGe 氧化自停止的可能原因是由于Si02中存在少量的Ge02影响了氧分子的扩散，从 而造成了SiGe氧化的自停止；同时也指出了目前两种解释氧化自停止的观点都无 法很好地解释我们的实验结果。 ③分析了不同氧化条件下SiGe氧化过程的应变弛豫机制，特别是首次观察到 并解释了湿氧氧化过程中的反常应变弛豫现象。通过对氧化后样品热稳定性的研 究，指出退火过程中Si．Ge互扩散是SiGe层应变弛豫的主要机制。 ④最后选择合适的Si基SiGe弛豫衬底进行二次外延，获得了接近完全弛豫的 Sio．72Ge02a层，验证了氧化制备的Si基SiGe弛豫衬底的可行性。 3、 获得了Ge组分为0．44、0．6的SiGeOI缓冲层，并对这些制备的样品的材料参数进 行表征。结合实验结果分析了SOI基SiGe氧化过程中的影响应变弛豫的多种因素。 SiGeOI弛豫衬底的可行性。 关键词：SiGe弛豫衬底、SiGeOI缓冲层、氧化、Ge浓缩 Abstract Si．basedmicroelectronicand deviceswith were optoelectronic highperformance SiGebuffer obtain relaxed almostbasedonthestrain·relaxed layers．Tohi【ghquality SiGe havebeen conventional buffers，various growthtechniques developed．The methodfor SiGebufferisto increasetheGe graded gradually 0b“llingcompositioually contentwithslow 1 buffer are thus，thick gradingrate(about0％／urn)，and layers thick arenot for Geconcentrationatthesurface．The requiredobtaininghigher layers