mbe局域长sigesi异质结材料性质研究与sigesi探测器阵列研制.pdfVIP

≤16《5I b，．^ Y， ，， 测器阵列研制 物理系 趟鐾态物理专业 学生姓名熊龌 指导教师毯翅九 职称教援 摘要 本文的研究工作由以下两部分内容组成： 一、研究了使用分子束外延(MBE)方法，在微米量级窗口中局域外延生 长的Si。Ge。2／si异质结材料的应变和失配位错的性质。蛾们观察到，随着窗口 尺寸的减小，si。。Ge0：／si异质结构中失配位错密度相应地单调降低：而应变随 窗口尺寸的变化关系却是非单调的。我们认为，这种实验现象是由下述两种机 制所导致的，即“窗口边缘对失配位错传播的阻断”效应及“薄膜边界引起的 X 应变弛豫”(EISR)效应：当窗口尺寸大于20 20}xrn2时，前者起主要作用； 而当窗13尺寸小于20×20 I_u-n2时，起主要作用的是EISR效应。在相同尺寸的 窗1：3中生长组份相同的si；Ge。。外延层时，实验中还观察到如果掩模材料中的应 力状态的不同，SiGe外延层中的应变和失配位错密度也会改变。我们认为，除 了窗口的尺寸外，掩模材料是又一个影响窗日中局域生长的siGe／si异质结结 、 构的应变和失配位错密度的重要因素。叶 √ 二、研制了2×22面元与2×32面元的二种3～5I．tm Sil_xGeJSi异质结内光 电发射红外探测器焦平面阵列。单元探测器的黑体探测率可达10”cmHz”／w， 响应率可达7×104v，W，阵列的响应率均匀性≤土5％。因此这种探测器适宜于 制作大规模的红外探测器焦平面阵列。 关键词：SiGe／S1异质结材料，应絷失配位错，}《，红外探测器 ’ 分类号：O484．1 Abstract Thethesis two consistsofthe parts： following the 1．Thestrainand misfitdislocationin in SiGe／Siheterostructure grown micronsizewindowsmolecularbeam by epitaxy(MBE)were showedthatasthewindowsizesarereducedthe dislocationin densitySio 8Geo2／Si