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2015-10-26 发布于贵州
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sic生长期c原子沉积过程的分子动力学模拟.pdf

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sic生长期c原子沉积过程的分子动力学模拟

摘要本文采用分子动力学方法，以Tersoff势flE Si、C原子间的相互作用势，对衬底表面不同的局部构型发生不同的碰撞过程．(4)C原子能量的提高有利于成键过程的发生并有利于衬底温度的降低及物相转变的实现。所得结论对SiC生长中有效地控制实验参数，对低温条件下实现高品质SiC薄膜生长的研究有重要意义。关键词分子动力学模拟：C原子；Si衬底 Abstract abstract }芊一● The surface relaxation and of(oo the 1)Si of deposition C dynaIIlics atom on are Si(00 studied 1)surface molecular by method dynamicsusing semi’empiricalTersoff many—body main potential．Theresults includetllat： the atomsin surface are of(00 andform 1)Sirearranged isa threshold whenthe energy Catom on theSi deposit incident zurface；when carbon atom with higher with energy,the silico