si、inaasinpmsm光电探测器的研制.pdfVIP

摘篮 论文摘要 厂 ‰属．半导体．金属(MsM)光电二极管在光电子集成(oEIc)中具有很广泛的 前景。这一结构的器件有两个重要的特性。第一：制作工艺简单；第二：属平面 结构，所以易于与FET和HEMT集成。同时，它还具有响应速度快的特点，可以 用于超高速、大容量的光纡通信中o＼l 本文先从MSM．PD光电二极管的发展状况入手，探讨了该器件的结构特点， 基本的光学和电学性质。为了能在厦门大学物理系现有的实验条件下制备出用于 光纤通信的MSM．PD光电探测器，探索了以下几个方面的工作： 1．根据光通信的要求和本实验室的现有条件，进行了版图的设计。糯定 ＼、 MSM—PD的金属叉指栅状电极指宽、指距均为2—3微米。版图共分四版，第 一版为台面；第二版为小线条光刻：第三版覆盖一层聚酰亚胺；第四版加厚 金属电极。弋 2．为了实现2-3微米精度的栅状电极的光刻，对该器件电极的“剥离工艺”进行 ， 了探讨。旌实验过程中采用正性光刻胶、表面疏水处理、干法刻蚀、等离子去 ＼ 胶和磁控溅射等方法。怠 3，研究了MSM．PD的光谱响应、暗电流、I—V特性等。对器件的光谱响应进行了 拟合计算，从而得出了光吸收层厚度、指宽、指距等材料参数，所得参数与实 际相吻合。 4．．在条件成熟后，将以此为基础，进一步研究InGaAsMSM器#。妊重要的是， 我们还将着限于MSM同HEMT的单片集成，并希望应用于长波长光接收机 | (光纤通讯)。并尝试在金钢石衬底上制作紫外MSM—PD。寸 关键词：Si和InGaAs／InP MSM．PD，光谱响应-电极剥离j正性胶一 ———塑羔j———————————————一 and ofSi InGaAs／InP Fabrication and Research The Photo—detectors MSM Abstract have promising Metal—Semiconductor—-Metalphotodetectors of circuits．This integrated optoelectronics applications intwo results structure important in andfabrication： processing because electronics with FET—based conventional compatibility