ni4h-ic肖特基二极管输运性质及sic薄膜制备研究.pdfVIP

摘要 随着电子技术的发展，在国防、航空航天等领域Si器件已经不足以满足人 们日益提高的需求。自20世纪90年代初以来，能够在高频、高温、强辐射等极 端条件下使用的宽带隙半导体得到了广泛的重视。其中碳化硅(sic)是目前发 展最为成熟的宽带隙半导体材料。如何最大限度的利用sic材料的性能以及实现 sic器件的商业化应用是当前研究的重点。在本论文中，作者对sic半导体器件 的性质和sic薄膜材料的制备进行了一些研究和探讨。内容共分三章，每章的主 要内容概括如下： 第一章综述了sic材料基本的物理化学性质以及sic材料和器件的研究进 展。包括sic的基本结构、同质多型、热学和光学性质、电学特性等，以及sic 块状单晶和薄膜材料的制各与进展。最后还介绍了sic半导体器件的性能及其研 究进展，包括肖特基二极管、紫外光电探N--极管、金属半导体场效应晶体管、 SiC集成电路等。 第二章中，我们采用高真空电子束蒸发的方法将镍(Ni)淀积在 特基势垒在强磁场和低温下的二y特性，并以热电子发射理论为基础结合弛豫近 似玻尔兹曼方程对Ni／4H．SiC肖特基势垒在磁场下的输运性质进行了初步的分 析和计算，发现电流的变化与磁场的平方和电压成线性关系，和温度成反比关 系，这与我们的实验结果基本符合。 上生长SiC薄膜进行了初步的研究。利用X射线衍射和扫描电镜等实验手段对 反应气体流量比和衬底生长前期处理对薄膜的结构、组分、生长速度、薄膜质量 等进行了研究，发现在Si(111)衬底上，当C／Si比为1．2左右时，可以得到较 高质量的3C．SiC薄膜。而且衬底的前期处理如高温氢气处理去除Si02层、预生 长SiC过渡层及其退火处理等对薄膜的质量都有着直接的影响。 Abstract In fieldssuchasnational et deviceCall’tfulfil many defence，aviationa1．，Si forthe ofelectronic 1990swide people’Srequestrapiddevelopment technology．Since semiconductorswhichcouldbe in gap appliedhightemperature，highfrequency et attractedattention．Nowthe ofresearchis a1．，have emphasis high—power great ofSilicon andcommercial of furthestutilization Carbide(SiC)materialapplication to semiconductordevice．Inthis authordevotedhiseffortthe of SiC thesis，the study Ni／4H—SiC diodeand ofSiCfilm．Thethesis transportproperties Schottky preparation consistsofthree andthemainresultsareasfollows chapters In of andchemical oftheSiCandthe chapterone，asurveyp11ysical properties o