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si衬底上压mocvd生长zns,znse薄膜和znse量子点
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改、发行、出租、改编等有碍作者著作权的商业性使
用(但纯使用不在此限)。否则,应承担侵权的法律
责任。
摘要
摘 要
宽带II—vI族半导体材料如ZnS、ZnSe因其优异的光电特性成为
蓝绿半导体发光和激光光电子器件的重要候选材料。如果利用外延技
术,在硅衬底上外延生长直接带隙的宽带II—VI族半导体材料,就可
以把硅在微电子集成技术中的优势与宽带II—VI族材料在光电特性方
面的优势结合起来,使器件兼有高性能和低成本的优点。
本论文利用金属有机化学气相沉积(In0CVD)系统控制生长条件制
备了ZnS、ZnSe薄膜和ZnSe量子点。主要取得了以下结果:
处理Si衬底,制备了ZnS单晶薄膜。随着生长温度的降低,ZnS单晶
薄膜质量提高,由在300℃时得到较小x一射线衍射FWHM的结果表明
获得了结晶质量较高的ZnS单晶薄膜。ZnS薄膜中Zn/S原子比都接近
l:I,莉各的ZnS薄膜具有较好的化学计量比。
制备了ZnSe单晶薄膜。研究发现实验中ZnSe薄膜生长速率主要受
薄膜具有较好的化学计爨比。ZnSe薄膜样品在77K时,光致发光谱
中只观测到了近带边的发射,而且这一发光一直持续到室温,说明在
si衬底上LP.MOCVD外延生长的ZnSe薄膜具有较高的质量。
周期循环生长的ZnSe/ZnS量子结构的样品。当ZnSe生长时间缩短时,
其77K的PL谱峰蓝移增大。对样品作变温光谱发现,该结构的发光
峰宽度随温度的升高先减小然后才增大,这正是量子点结构的特征之
一。这表明我们制备的样品是ZnSe量子点。
4,作为主要成员参加了中国科学院仪器改造项目一光助MOCVD系统
的改造工作。为了测试改造后的光助MOCVD系统的性能,用该系统
制各了ZnSe和ZnSe:N薄膜。
关键词:ZnS薄膜,ZnSe薄膜,ZnSe量子点.金属有机化学气相沉积
英文捅要
Abstract
been
suchas have
Wide II·VIsemiconductormaterials ZnS,ZnSe
band.gap
fortheir inthe
asonethemost materials
thoughtof import potentialoptoelectronie
was wide II-VI
devices.Ifthe used,the
technique band—gap
epitaxialgrowth
tothe
cartlead
on substrates
semiconductormaterials Si possibility
epitaxialgrown
ofwide
w
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