sol-gl法制备的pvb包覆的氧化锌及关于znlt;,1-xgt;mglt;,xgt;o合金薄膜的光学性质研究.pdfVIP

摘 要 meV，这 eV)，激子束缚能高达60 ZnO是一种宽带隙半导体(3．37 使得ZnO具有高效源于激子的紫外发射，并使得ZnO在短波长激光二极 管、紫外探测器等方面有着广泛的应用前景。 到目前为止，人们已经采用激光脉冲沉积，磁控溅射，金属有机气 相沉积等技术来制备ZnO。从提高ZnO的发光质量和获得更短发射波长 的ZnO基材料出发，本篇论文采用溶胶凝胶法制备了两种样品，一是PVB 知，与其它的方法相比，溶胶凝胶法具有很多优点，例如方法简单，制品 的均匀性好，可实现低温合成，适合大面积生产等。 为了提高ZnO的发光质量，我们采用溶胶凝胶法首次制备了PVB包 覆的ZnO纳米粒子，并从粉末和薄膜两个方面研究了PVB对ZnO纳米粒 子光学性质的影响。实验结果表明：经PVB包覆后，PVB不仅减少了ZnO 纳米粒子表面的悬键和非饱和键，而且也从空间上阻断了被表面俘获的空 穴遂穿回粒子内部形成V0’复合中心。粉末和薄膜形式的ZnO纳米粒子 的发光光谱都表明PVB的钝化作用能够有效的提高ZnO纳米粒子的发光 特性。 为了在室温下获得更短波长的发射材料，我们采用溶胶凝胶法制备 了zn。Mg，0薄膜并首次研究了高M92十浓度的zn。Mg，0薄膜的发光性质。 并且，我们还研究了退火温度对薄膜粒子尺寸和发光性质的影响。 关键词：溶胶凝胶；聚乙烯醇丁缩醛；氧锌镁 Abstract Zinc awideband oxideand oxide(ZnO)is eV)semiconductor gap(3．37 hasa exciton allowsits efficient large bindingenergy(60meV)，which high andwide to fromtheexciton ultraviolet(uv)emission application laserdiodesandUVdetectors． short—wavelength Until suchas laser hasbeen variousmethods now,ZnOgrown、Ⅳitll pulsed deposition(PLD)，radio frequencymagnetron metalorganicvaporphasedeposition(MOCVD)．Here，ZnOnanoparticles with thin cappedpolyvinytbutyral(PVB)andZnl_xMgx0films(O．56≤x≤ fabricatedthe withother O．91)were by methods． sol-gelprocess．Comparing sol—gel isknowntohave distinctmeritssuchas technique