p-mbe法在硅衬底上制备的氧化锌薄膜及纳米管的结构和光学性质的研究.pdfVIP

摘 要 氧化锌作为一种重要的具有六方结构的II．IV族宽带隙(3，3eV)半 导体材料，由于具有较高的激予束缚能高(60meV)，在室温下容易获得 强的激子发射，被认为是制作紫外半导体激光器的合适材料。因此， 对氧化锌材料的研究已成为继GaN之后，宽带隙半导体材料在光电子 领域中又一个研究的热点。 人们己采用分子束外延技术获得了高质量的氧化锌薄膜材料，但 其衬底材料一般选择为A1203，而对在si衬底上的ZnO薄膜材料的生 长和特性研究的较少。本文主要利用等离子体辅助分子束外延的方法 在Si衬底上生长ZnO以及对其结构和光学性质进行研究。具体内容包 括三个方面： 1．研究了衬底温度对氧化锌薄膜质量的影响。在350。C．700。C温度范 围内生长了一系列ZnO薄膜。结果表明在较低的温度下，被吸附 到衬底上的原子由于迁移能力较低不易占据到正常的格位上，导致 晶体的结晶性下降；而在较高温度下(650。c)，吸附系数较低的氧 原子容易从衬底表面脱附，而在薄膜中形成大量的氧空位。在我们 的实验条件下，X射线衍射和光致发光结果表明最佳的生长温度为 550。C。通过变温光谱把室温下紫外发光的起因归结为自由激子发 射。 2．研究了低温缓冲层对ZnO薄膜结构和光学性质的影响。在300。C温 度下生长了一层ZnO薄膜，由于生长温度较低Zn、O原子容易被 吸附到衬底的表面导致非定形的ZnO的生长，有效减缓了衬底与 ZnO之间的晶格失配带来的影响，降低了失配位错和缺陷的产生。 x射线衍射、原子力显微镜、RHEED和光致发光的结果表明，在 ZnO，无论是样品的表面形 低温缓冲层上选择最佳温度(5500|C)生K 貌，结构还是样品的光学性质都得到了明显的改善。由此，我们得 出结论，低温缓冲层的引入很好的提高了ZnO薄膜的质量。 3．研究了低维ZnO薄膜结构的制备及其性质。通过氧等离子体处理 衬底上生长的ZnO薄层得到环状的“模板”结构，在si衬底上得到 了ZnO纳米管，在这里氧等离子处理最为关键。ZnO纳米管的场 发射闽值电场为2．5V／fxm。当电场是7V／gm时，发射电流密度可以 达到lmA／cm2。样品表现出了高的电流密度和低的发射阈值电场， 这也为ZnO在平板显示和场发射方面应用提供了可能。 关键词：氧化锌，等离子体辅助分子束外延，X一射线衍射，光致发 光，纳米管，场发射， Abstract of wurtzite Asan II-VI semiconductor compound crystal important 3．3eVand exciton structurewiththewide of large binding band—gap at of ensuresthe excitonicemission 60meV,which energy hi出efficient room asoneofthemost temperature，Zincoxide(ZnO)isregarded materialsfor efficient blue ultra