la-camn-o中的稀土元素替代效应.pdf

摘要 在稀土掺杂钙钛矿型锰氧化物中，由于发现了庞磁电阻 (CMR)效应，而引起人们的广泛关注．因为庞磁电阻效应的巨 大应用潜力和丰富的物理内涵，而成为当前凝聚态物理研究的 热点。我们在钙钛矿型稀土锰氧化物La叭，Ca。，。MnO，中用离 子半径较小的稀土元素Sm和Gd部分替代离子半径较大的 La，并用传统的固相反应法烧结样品，通过对其导电性、磁 性和庞磁电N(CMR)效应的研究，得到以下结果： 流结偏低而使样品的磁电阻效应很小，而1450℃的烧结温度 使晶粒长大，从而减小了晶粒边界对电子的散射作用，使材料 电阻明显下降，金属一半导体相交温度提高，但磁电阻效应下 降．虽然不同的烧结温度会影响材料的导电性，但却不改变由 材料内禀性质决定的居里温度Tr。 ·电阻率测量表明，所有样品的电阻率都是温度的敏感函数， 并且都存在一个明显的金属一半导体相交温度T，，在T，以上， 下材料的电阻率达到最大值p。。随着掺杂量的增加，材料的相 交温度逐渐下降，对应的峰值电阻率大幅度增加。经1400℃ 烧结的样品，替代5％的Gd后，相交温度T，从155K下降到 掺杂量时，T，下降趋势减缓，p。在x=0．11时出现一个极小值， 当x=0．13时p。又急剧增加到773f2cm． ·所有样品在低温下呈现铁磁性，当温度升高到居里温度L以 上时转变为顺磁半导体．随着掺杂量X的增加，Tr单调下降， ． 磁场可以使材料的居里温度升高． ·所有样品的电阻率随着外加磁场的增大而单调下降。磁电阻 ’ 比随着掺杂量的增加快速增大，经1400℃烧结的样品，在x=0．11 时达到最大值。在外加50kOe的磁场下，磁电阻比△R／k由不 CMR效应的提高是极其明显的。j ·经1400℃烧结的样品获得了最大的磁电阻效应，在这个烧结 、温度下，随着掺杂量的增加，材料的金属一半导体相交温度从 不掺杂的l 个数量级。居里温度也由不掺杂时的238K降低到掺杂量x=0．13 时的128K。另外在50kOe的磁场下最大磁电阻比由不掺杂时 磁电阻比提高了一个数量级。， ． 3．稀土商子的蹙煎兹廑 ·对于居里温度T。、相变温度T，、峰值电阻率p。和磁电阻比 随掺杂量X的变化规律，可以通过晶格效应解释。当用离子半 ’ 径较小的Gd和Sm替代La时，随着掺杂量x的增加，使体 系A位离子的平均半径减小，引起晶格发生畸变，减小了 Mn—O—Mn的键角，使Mn离子相互靠近，从而增加了电子在 ¨ 坐蔓查兰塑主兰堡堡苎 Mn格点上的跳跃阻力，减弱了双交换作用，所以引起材料的 电阻率增加，金属一半导体相变温度和居里温度下降，居里点 附近的磁电阻效应迅速增大。这就验证了Hwang等人提出的 晶格效应的观点。 ·磁场通过磁致伸缩使晶格产生形变，结果增加了锰离子的间 距，加强了电子的跳跃行为，使双交换作用增强，使材料电阻 率下降，相变温度和居里温度上升。 ·在测量过程中，发现了样品存在热滞效应及不可逆的磁电阻 效应。热滞效应是指在升温和降温过程中得到不同的电阻率随 温度的变化关系曲线，与降温比较，升温时相变温度较高，峰 值电阻率下降。这种热滞效应随着掺杂量X的增大而增强，升 温和降温时相交温度的差量随着掺杂量的增加而增大。另外在 磁电阻的测量过程中，发现了不可逆的磁电阻效应，这是由样 品对磁场存在记忆行为引起的。不可逆的磁电阻效应和热滞效 应可能是由相同的原因产生的． ·通过比较，我们发现掺杂Sm和Gd给材料的导电性带来较大 差异，掺杂Sm引起材料的电阻率的提高和相变温度的下降更 为明显，而材料的磁电阻比在等量的两种掺杂情况下差别很 小，居里温度只与稀土离子的平均半径有关，这说明材料的导 电性不但与Mn．0．Mn的键角有关，还与材料的晶粒尺寸、材 料密度、氧缺位等情况有关，而居里温度和CMR效应更多地 由品格形变决定