si衬底上nse，znte薄膜及其量子阱的lp-mocvd生长和光学特性.pdfVIP

摘 要 宽带Ⅱ一vI族半导体材料，尤其是ZnSe和ZnTe及其合金具有宽带隙、直接 带跃迁、激子束缚能大等优点而作为蓝和蓝绿发光、激光以及在该波段响应的光 学双稳和光学非线性的重要候选材料。以往的宽带lI—VI族半导体都是以GaAs 为衬底材料的，这就造成了宽带lI．VI族半导体光电子材料与Si基微电子技术的 分离。为了解决这一问题，人们尝试在si衬底上进行光子材料的制备。 本文中，我们利用ZnO与Si衬底上氧化层一Siq有很好的浸润性这 一特点，采用ZnO作为缓冲层，用低压一金属有机物气相沉积(LP—MOCVD)设 结构，并对其发光特性进行了研究，获得的主要研究结果如下： l、在si衬底上获得了较高质量的ZnO薄膜。采用对Si衬底进行氮化的方法， 蒸发的方法在Si衬底上生长ZnO薄膜，通过退火实验，得到了最佳的退火 条件。 行不同退火时间和退火温度的实验，获得了质量较好的ZnSe和znTe薄膜。 结构。通过对不同阱宽和变温样品PL谱的测量，得到随样品测量温度和阱 宽的不同，PL谱峰发生移动，说明我们得到了量子阱结构。ZnCdSe／ZnSe量 子阱材料的PL谱得到了520nm附近较强的发光，RRS谱获得多达3级的共 振谱。znCd氏／znTc量子阱结构的表面没有微裂纹，其发光强度较直接在Si 衬底上生长的ZnCdTe／ZnTe量子阱有很大提高。 4、解释了ZnO缓冲层对提高生长材料质量的作用机理。认为由于ZnO的存在 消除了电荷不匹配以及减少热应力对在si衬底上生长宽带II．vI族半导体材 料带来的影响从而减少界面间的缺陷的产生。 关键词：Si衬底，ZnO缓冲层，宽带Ⅱ．vI族半导体 and Characterizationof Films PreparationOptical ZnSe，ZnTe and WellStructuresonSiSubstrateLP-MOCVD Quantum by Abstract Xiaohua matter Wang(Condensedphysics) Directed Fan by：Xiwu Wide II-VI as andtheir attractmuch band—gapmaterials，suchZnSe，ZnTe alloys dueto in attentiontheir potentialapplicationslight—emitting bistableand nonlineardevices in diodes(LDs)，opticaloptical operqtynwblue-green forthefactthat exhibitband and exciton apectrmnrange they large gap high binding is assubstrateforthe ofwide II--VI energy．Usually,GaAsemployed growth band·-gap semiconductorsduetotheirsimilaritiesinlattice amature constant．However,as semiconductorhasserveselectronics toco