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SiGe／Si异质结器件用材料的MBE生长 学生姓名：监直堂 指导教师：韭塑△教授 摘要 SiGe／Si异质结器件以其与现有半导体集成电路工艺良好的兼容性，优异的 电学和光电子学性能，在研制高速器件和新型光电子器件领域起到了越来越重要 的作用。而分子束外延是一种常用的重要的生长SiGe／Si异质结构的技术。它使 我们能够得到界面清晰，组分准确可调，杂质分布和浓度易于控制的良好异质结。 本论文讨论了以下几部分的内容： 1．分子束外延生K需要高度清洁的表面，它不能为杂质玷污(尤其是不能 为c玷污)，办不能为氧化物所覆盖。因此在进行生长前需要进行化学清洗。。 般使用的化学清洗方法是Shiraki的清洗方法SHRCA法。我们对这些方法进行了改 sipn结。 进，并用于器件制备。使用改进的清洗方法我们成功制作了n—Sj6e／P A)。 测量显示，此Dn结的击穿电压商(超过1jV)，漏电流小(【la 2．近年来的实验与理论都表叫，承受有张应变的Si材料，其载流f订很l啊的 迁移率，在研制高速Si器件LY[重要的应用。生K应变si材料的方法之‘，足a： si衬底J一)UE氏层高应变驰豫低位错密度的SiGe合金薄膜，然后在它h自Hi氏 si。由于SiGe合金的晶格较si犬，因此Si薄膜中就承受有较大的张应变。祚：这 技术中，关键是生长出结品良好日．高应变驰豫低位错密度的SiGe彳7会薄膜，川时 Genii分要尽可能的高以期与s“}仃较高rl^格常数失配而提高siL}1的张应变。我们 采用Ge组分逐级增大的方法，结合局域外延技术，在Si(001)衬底}：…Si州。掩 膜定义的3X3微米窗口【{I，成功地牛长…了高应变驰豫低失配化错脊度的 Si”45Ge【J 腐蚀液进行化学腐蚀，未见有失配位错线和线位错腐蚀坑。我们认为，这利SiGe 薄膜可以成为生氏应变si薄膜的良好的缓冲层材料。这‘结粜，作崭尚未她仃炎 似的报道。 3．Ge精子点拥有与体Ge材料不川的物珊陛质，有着，1‘闹的应川前景。川Ji 制作器件的Ge量子点要求密度商，均匀7陀好。我们的实验结粜5＆示，乍K泓瞍 为4700C时制箭的小尺寸量n基满足高密度良好均匀性的要求。对该温度卜乍K u 的四层量子点样船在室温测量FTlR，红!．2～2．5m处观察到量子点的红外l妓收。 此外，我们还研究了在Si3N4薄膜卜刻蚀…的窗I1内q：长嚣f点的情况。。丈验r1， 发现，存这利，图形衬底．hitiK的艟r』_州埘r普通衬底』I．¨d条r|：，IiKf…·j‘J， 点，』t寸变人¨t密度提高了个数}}|=级，『m均匀性变化不火。小文刘这种现缘进 行了研究和讨论。 4 SiGe／Si异质结内光lbJ{：发射红外探测器(简称siGe／siHIP探测器)址‘ J卜，I二长露掺杂的应变D+一SiGe／z球拍E片 种匝要的硅旗红外探测器。通过11lip—siH 质结构米实现对红外线的探测。本实验鼍洲m0了2X22SiGe／Si}liP探测擀|；1：列， u 000K 我们测试了它的电学和光电r学特性：。眩探测器阵列工作稿i3—5m波段，l 9×105 黑体的IUJKl伽衄率Rv=Iv／w。尤l川{[生的址该阵列的㈣J衄：红均匀性达剑J’ f‘分之的水、}，．。 Abstract SiGe／Slheterostructureshavereceivedconsiderableattentiontortheirmicroelectr— and with Si onics duetotheir the optoelectron