ybkgdwolt;,4gt;)lt;,2gt;激光晶体生长与缺陷研究.pdfVIP

摘要 新的激光晶体，近几年引起人们的重视。该晶体可掺入较高浓度的Yb 离子(O 5％一10％)，且不存在浓度猝灭，吸收线宽宽，量子缺陷低，光 转换效率高，荧光寿命长。LD泵浦的Yb”激光器在某些应用上将明显 优于Nd”激光器。 本文通过对K2W04和K2w207两种助溶剂的对比、分析，选择 K2W207做助溶剂，采用顶部籽晶提拉法(TSSG)生长晶体。通过温场 的测定选择炉体内合适位置进行晶体生长。经二次化料、引晶、缩颈、 放肩、等径生长，得到质量较好的晶体。生长工艺为：转速：4rpm；降 温速率：O．05℃／h；生长周期：10天。 ?通过Yb：KGW晶体粉末样品的X．rav衍射谱与KGW粉末样品的 x墒y衍射谱的对比分析，其衍射峰的分布和相对强度基本一致，故生 长晶体为高温相的p—Yb：KGW晶体。 利用TG—DTA对所生长的Yb：KGW晶体测定说明，其在1100℃以 下的热稳定性是很好的。Yb：KGW晶体在1088℃和1025℃有两个明显 的吸收峰，判断在1088℃处较宽的吸收峰是Yb：KGW晶体的熔点，1025 ℃处的吸收峰是Yb：KGW晶体从四方晶系向单斜晶系的相转变峰。 利用x射线光电子能谱，检测到晶体中确有W、Yb、Gd、O及K 离子的存在。 我们采用扫描电镜对晶体表面进行观察，并拍摄到晶体裂缝、生长 条纹、生长丘、生长台阶及包裹物等缺陷的照片。 通过对晶体表面缺陷的观察与分析认为，晶体裂缝、生长丘、生长 台阶及包裹物等缺陷与生长条件和2E．艺密切相关。因此，若想生长质量 优艮的晶体，应尽量减少生长过程中的温度、浓度及生长速度的波动， 保持晶体的稳态生长。，， 关键词：Yb：KGW激光晶体晶体生长 晶体缺陷 ABSTRACT Recently，theneodymium—dopedcrystalYb”：KGd(WO)，(or at1023—1044nmwas which Yb：KGW)lasting demonstratedexhibits highly efficient structureallows free—runningoperation．]he host—crystal high concentrationrO．5—1Oat％1without doping considerableconcentration quenching．Thus，theistwice thanNd：KGW．The specificenergy higher laser also otherattractive as andbroad crystalpresents features，such strong thislasermediumtobeanexcellentcandidatefor absorptionband，makes efficient diode without The pumping temperature controllingabsorption bandat of 0，981“n1Yb”inthe iSwelimatchedwiththeemission cryst