ⅲ-ⅴ、ⅳ半导体量子点siolt;,2gt;凝胶玻璃的光学性质以及锗纳米线和三维光子晶体的制备.pdfVIP

一 塑宣堕壅呈盔兰盟主星堕茎!笠堡量————————————一 内容摘要 1 11I．V、Ⅳ族半导体量子点，sio：凝胶玻璃的光学性质 采用溶胶～凝胶法制备了镶嵌在SiO：凝胶玻璃中不同尺寸的C、Ge、InAslEllnP 纳米颗粒，研究了它们的结构、光致发光和fs一光学非线性，探讨了结构和性能 的关系． f a在Ar激光器的514．5nnl和半导体激光器的782nm激光激发下研究了含 有碳纳米颗粒凝胶玻璃的发光性质，发现在可见和近红外光区有一很强的室温 备的样品在77．300K发光特性以及激发光强度对发光的影响．发光是由镶嵌在 凝胶玻璃中的非晶碳纳米颗粒产生的．利用fs．OKE效应测试了制备样品的三阶 x x 非线性系数，300。C，600。C和700。c炭化样品的慰”分别为4．610”，3．2 x10。3 10-．3和1．0 esu．其中600。C炭化样品的Ⅸo’最大，它的三级非线性极化率 10’14esu． 的虚部为8．3X b含有锗纳米颗粒凝胶玻璃在Ar激光器的514．5nm激发下，发现在可见光 光强度以1：1的比例增加．发光寿命为l岫．在半导体激光器的782nm激发下， 在877nm处也有一很强的室温发光．这种可见和近红外光区的发光不是起源于 具有立方相结构的Ge纳米晶，而是起源于尺寸特别小，小到以致未能形成完整 晶格的具有分子特性的Ge纳米颗粒或团簇． c在心激光器的514．5nm激发下InAs／SiO，凝胶玻璃在可见光区有一发光峰， 峰位处于610rim和700nm．随着测试温度的降低发光强度增大在空气中放置时 间越长，越容易激发发光．这种可见光的发射与镶嵌在凝胶玻璃中的InAs纳米 晶在空气中的氧化有关．很可能是氧化的InAs纳米晶的发光．以m激光器的 it 488nm激发，在77K发现在2．18，2．90和3．40m有3个发光峰．发光起源于镶 嵌在凝胶玻璃中的InAs纳米晶． ． 激发光强度对发光的影响，860nm的发光产生于镶嵌在凝胶玻璃中的InP纳米晶， 610，728nm发光可能起源于氧化的InP纳米晶或凝胶玻璃基质的发光．利用fs— X10‘14 esH． OKE效应测试了3InP／100SiO：凝胶玻璃的三阶非线性系数，五‘3’为6．8 泵浦探测方法研究了激发态的驰豫过程．发现其衰减过程由两部分组成，～个寿 命为1．0ps的快速过程和另一个寿命为11．2ps的慢速过程．厂， 2．锗纳米线的制各 丝垒堕星里叁堂壁土量婴壅工堡塑宣—— 为基片在石英管的下方沉积GeO，制备出了Ge纳米线．该纳米线由Ge纳米线 芯以及表面覆盖的非晶的GeO：组成．纳米线的生长机理为著名的气一液一固机理． 3．三维光子晶体的制备 以正硅酸乙脂作原料，在碱性溶液中水解，通过控制氨水的浓度控制蓬塑：微 球的大小，制备了尺寸均一，微球直径分别在240，370和420nm的SiO：微球，通过 自由沉积和表面张力作用组装成人造蛋白石结构，观测到了光子带隙的位置分 制备了具有反蛋白石结构的SiO：，TiO：，和Si02-TiO：三维光子晶体材料．其中空气 球的直径分别降到150-160nm和184—200nm． 黼枣胶H 憋妣酾 词(七 胶糕疆 锎Ⅵ耽 法射雅 ¨别弛A光一． 漆 裂一 II 堑坌堕墨!盔兰壁!!亘堕壅王笪塑量二—————————————～ 一 ABSTRACT 1／／一V、Ⅳ