丙二酸二芘类聚合物lb膜的制备及其光刻性质.pdfVIP

摘要 摘要 目前，集成电路己从60年代的每个芯片上仅含几十个器件发展剑现在的每个 芯片上可包含lO亿多个器件，集成电路之所以能取得如此飞速发展，光刻技术在 其中起到了极为关键的作用，而光刻胶的制备又是光刻技术中及为关键的部分。 深紫外(DUV)光刻可得到较高分辨率的图像，而且造价便宜，容易普及，实用 于工业生产等特点，因此，深紫外光刻成为当前研究的热点。光刻胶是光刻的核 心要素，针对光刻胶的研发现状，本论文以深紫外光(DUV)为光刻光源、 芘酯类光致抗蚀剂材料，研究了其成膜性能及其光刻性质，并对其光刻机理进行 了研究。 1．聚合物的设计、合成及其表征： 本文设计并合成了带有蓝色发光基团芘的光敏感雎体烯丙基丙二酸二芘甲酯 谱(1HNMR)、核磁碳谱(13CNMR)以及凝胶渗透色谱(GPC)等表征手段进行了确 定。 CH气 l i 乇叫H罢2一 宁韦 G--O FoI — l O №C NH l R1 O—C ·-(CH2hlCH3 ····(CH2)IsCH3 DDMA HDMA al-a4 b1．b3 c1．c3 图1聚合物结构示意图 摘要 2．聚合物分子Langrnuir膜的转移性能 丙烯酰胺类烷基链长及其含量对于共聚物的成膜性能有较大影响，本课题研 究证明卜二、十六烷基丙烯酰胺与合成的光敏感单体的共聚物不仅能够制备得到 排列致密有序的Langmuir膜，而且能将其成功地转移到亲水基片上制备多层均匀 的LB膜。实验通过紫外仪、电子显微镜、原I了力湿微镜、膜测厚仪、x射线衍 LB 96nm 、278nm、346n／／1二处紫外吸光度与膜的沉积层数呈现出良好的线性关系，证明 Langmuir膜能够均匀地转移到基片上，i,I以制备得到排列有序的多层LB膜。 图2杠英基片上b2聚合物LB不同层数的紫外吸收图谱(73层，Y型，SP=27mN／m)；插图为LB膜 nm、278nm、346 在190 nnl三处极大吸光度与沉积层数的关系 图3为101层b2LB膜光学显微镜中的荧光图，从分布均匀荧光点可以说明LB 膜转移均匀。 图