znte基znse基复合结构的光学性质.pdf

摘 要 II--VI族半导体具有大的禁带宽度、较大的激子束缚能和强的室温激子效 应，一向被认为是制备室温激子非线性器件和短波长发光器件的重要侯选材料 之一。利用激子隧穿效应制备出各种低维复合结构并对檄子隧穿和辐射复合过 程进行研究，这无论是对基础理论研究还是对器件实际应用方面都具有重要意 义。 量子点／量子阱复合结构中的激子隧穿和复合过程。取得了如下结果： 程，表明ZnSeTe层对载流子具有很强的限制作用。在此基础上，研究了 5，5ps快的隧穿时间。 点间的隧穿过程。通过对不同垒厚的点／阱复合结构发光特性测量，证实了该结 构中隧穿现象的存在。并利用泵漓．探测测量了阱中激予的衰减时间，最短可达 1．8ps。研究垒层厚度变化对激子隧穿的影响。 3、通过变温光谱测量．研究了在点／阱复合结构中，激子离化和激子隧穿 激子复合过程中的作用。根据量子点和量子阱中激子辐射跃迁强度、峰位、线 宽随温度的变化关系，讨论了激子隧穿对量子点中激子发光的影响，从而进一 步认识这种复合结构的发光机理。 棒中观察到较强的紫外发射。利用时间相关单光予计数手段对发光寿命进行测 量，得到较快得发光衰减时间(～Ins)。我们将发光机理归结为由于量子限域 效应导致能带结构由间接带隙向直接带隙转变。 厶 Abstract II—VI broadband exiton semiconductors，possessinggap，largebinding energy atroom tobe for candidatesnonlinear temperature，isrationallyexpectedpromising devicesandshort laser．The wavelength fabracationofvariouslow structuresandthe ofthe ofcarriersiS forboth investigationdynamics veryimportant theoreticsresearchesand applications． ThisthesisiSfocusedonthe andrecombinationofZnTe． dynamicsoftunneling ZnSe-baselOWdimentionalstructures．TheiSthe results： coupled followingmajor 1．The ofcarriersinZnTe／SeZnTewellsiS dynamics quantuminvestigatedby show on confinementaleffects pump-probetechnique．ZnSeTelayer strong carriers．Basedon these of results，the dynamicsproces