rpcvd长sige材料的cfd模拟研究.pdfVIP

摘要 摘要 RPCVD(减压化学气相淀积)是目前生长SiGe／Si异质结薄膜材料的主流技 术之一。在SiGe的RPCVD生长过程中，硅烷、二氯二氢硅、锗烷、氢气等反 应物均为气体，其在反应室内流场分布情况将影响薄膜淀积的均匀性，而其流体 动力学行为又与反应室内压强、温度以及气体流量等密切相关。 本文重点进行了RPCVD生长SiGe材料的流体动力学行为的研究。根据实际 工艺设备结构，建立了RPCVD反应室的CFD(计算流体动力学)仿真模型。利 用FLUENT软件，通过改变反应室的几何参数、压强、基座温度、流量和基座转 速等结构和工艺参数，模拟了RPCVD反应室内的压强场、密度场、速度场和温 度场的分布，确定出最优的工艺条件范围。 在此基础上，首次采用正交试验设计法，对RPCVD生长低温应变SiGe和高 温弛豫SiGe的FLUENT模拟分别进行优化设计。根据正交实验的优化设计，进 行了反应室内密度分布、压强分布及温度分布的FLUENT模拟。参照Si片均匀 性测试的方法，对SiGe外延片9点处的FLUENT模拟结果进行了方差分析，得 出低温应变SiGe 高温弛豫SiGeRPCVD的最优模拟工艺为：流量10slm、温度1123K、压强60torr。 最优模拟工艺与RPCVD生长SiGe的实际工艺一致。 关键词：锗硅减压化学汽相淀积计算流体动力学正交法FLUENT模拟 Abstract Abstract chemical oneofthemainstream RPCVD(reducedpressure vapordeposition)is whichisthe ofSiGe／Si thinfilmmaterials．InSiGe technology growth heterojunction RPCVD suchas growthprocess，reactants in are flowfielddistributionthereactionchamberwillaffectthe hydrogengases，their ofthethinfilm theirfluid behavioris uniformity deposition，anddynamics closely relatedwiththe chamber flow pressure，andgas rate，etc． temperature，reaction Thefluid behaviorofRPCVD ofSiGematerialshasbeen dynamics growth researchedinthis fluid model paper．TheCFD(computationaldynamics)simulation ofRPCVDreactionchamberhasbeenestablished totheactual according process fieldand field field，densityfield，velocitytemperature equipment．Then，thepressure