zno量子中激子的基态特性及表面修饰对光学性质的影响.pdf

英文摘要 摘要： ZnO是一种新型宽禁带直接带隙II一Ⅵ族半导体材料，室温激子束缚能高达 用的高效紫外材料。ZnO半导体量子点材料与体材料相比具有崭新的光电特性， 特别在紫外激光器件方面具有极其广泛的应用前景与应用价值，其光电特性与 ZnO的激子特性密切相关，同时由于Zn0量子点(纳米晶)具有较大的体表比， 其表面会存在大量缺陷和悬键。因此，对ZnO量子点中激子的基态特性及对ZnO 量子点的掺杂、修饰后的光电特性进行研究，对ZnO量子点的理论研究与器件 实际应用方面都具有重要意义。 本论文研究了ZnO量子点中激子的基态特性，非晶ZnO向纳米晶ZnO转 化过程，对Mn掺杂、修饰的纳米晶ZnO的光学及磁学特性及C掺杂的纳米晶 ZnO的光学特性进行了研究。取得了如下结果： 1、提出了新的试探波函数，并用变分法研究了ZnO量子点中激子的基态特 性。计算结果表明，激子的基态能随着粒径的减小而迅速增大，当粒径减小至 自由激子结合能的8倍，而当粒径较大时，其基态能比ZnO导带底低65meV， 与ZnO自由激子的结合能基本一致。将计算结果与相关实验结果和Y．Kayanuma 的计算结果进行了比较，发现无论与实验结果还是与Y．Kayanuma的计算结果都 吻合得很好，说明选取的试探波函数简单有效，可以应用于其它半导体量子点材 料中。同时，ZnO量子点中激子的波函数，随量子点半径的减小变化越来越剧烈， 说明量子点所处的环境、量子点表面及掺杂会对ZnO量子点中的激子产生很大 的影响，因此对量子点表面进行修饰及有效的掺杂是必要的。该理论计算结果与 实验结果基奉—致r该寺诘再以用王苴地种娄量壬点基态特性岳每研究。 2、对非晶ZnO向纳米晶ZnO的转化过程进行了详细的研究。结果表明非晶 ZnO对纳米晶ZnO的表面进行了有效的修饰，并形成三维受限量子结构，提高 了纳米晶ZnO的发光效率，同时观测到新的可见发光谱带，并归结为纳米晶ZnO 的界面发光，其发光强度与非晶ZnO对纳米晶ZnO表面的作用相关。将实验结 果与理论计算进行了tE较，结果表明，当粒径较大时，计算结果与实验结果吻合 得较好，当粒径较小时，与实验结果有一定的偏差，并对其原因进行了分析。用 电泳法制备了高质量的非晶ZnO、纳米晶ZnO薄膜，室温下观测到了较强的紫 外发射，该方法在材料研究方面将有广阔的应用前景。 3、制备了Mn掺杂、修饰的纳米晶ZnO，并研究了其光学、磁学特性。结 果表明Mn掺杂的纳米晶ZnO具有较好的发光特性，只有紫外发射，没有可见 发射，研究表明，制备样品具有ZnMnt0／ZnMn★0核壳结构，由于ZnMn#0 壳层钝化了ZnMn；0核表面，具有较好的修饰作用，提高了载流子的注入水平， 并表现出量子尺寸效应。由于Mn掺杂的ZnO在稀磁半导体中具有潜在的应用 英文摘要 价值，我们测量了Mn掺杂的纳米晶ZnO的磁性，测量结果表明，观测到了Mn 掺杂纳米晶ZnO室温下具有较弱的铁磁性，说明Mn元素进入ZnO晶格，取代 了Zn离子，并产生了自发的磁性。 4、首次制备了C掺杂的纳米晶ZnO，并且只观测到了弱的紫外发光，说明 C在ZnO表面作为无辐射复合中心，使ZnO表面的载流子无辐射复合掉。间接 证明了ZnO中位于530nm左右的可见发光正是来源于氧空位。由于Cso及C纳 米管睑具有广泛的应用价值，因此将ZnO与C相结合，将可能制各出的具有优 良特性的光电子器件，使ZnO的使用范围有所拓展。 关键词：ZnO，自组装，量子结构，量子点，激子 Ⅱ 英文摘要 Abstract： Zn0iSanewwideanddirectbandII一Ⅵsemiconductormaterialwith gap a exciton at large binding of60meVroom thanthe