rhsio和rhal2o3催化剂上甲烷部分氧化制合成气的同位素示踪技术研究.pdfVIP

摘要 摘要 本论文的主要目的是探明刚Si02和洲203催化剂上甲烷部分氧化 (POM)制合成气反应的机理。在论文的第一部分工作中，采用低温N2吸附、 并考察了不同温度下催化剂的反应性能，以此确定相关催化剂上POM反应的起 燃温度。在此基础上，通过脉冲反应技术考察了不同烷氧比的C№混合气在 不同催化剂装量的床层上的POM反应情况，确定RⅣSi02和砒以1203催化剂床 层的氧化区(原料气中02未耗尽的区域)，并进一步在与氧化区长度相当的催化 剂床层上考察甲烷的水蒸气和二氧化碳重整等反应情况。在700oC、流速为120 冲CH徊2／缸=2／l／97混合气的实验结果表明，两种催化剂床层氧化区上均可获 催化剂上的脉冲反应结果进一步表明，无论是CH4的水蒸气重整、C02重整还是 在水蒸气和C02重整同时存在的情况下，重整反应对这两种催化剂床层氧化区 上H2和CO生成的贡献均较小，H2和CO的生成主要是源于CH4的直接氧化。 本论文的第二部分，采用H—D和160．180同位素示踪技术考察了心稀释的 氧化区相当长度的催化剂床层上的反应情况。H—D同位素实验结果表明，与单纯 的水蒸气重整反应(CH4／D20偷=2／2／96)相比，在水蒸气重整和甲烷部分氧化 剂床层氧化区上生成的H2主要来自甲烷的部分氧化反应。在刚Si02和黜1／A1203 催化剂床层氧化区上脉冲C剐1602／H2180／He混合气的同位素示踪实验结果表 明，两种催化剂上生成的一氧化碳均以C160为主，说明CH4与1602反应生成 源于CH4与1602的直接氧化反应。 关键词：甲烷部分氧化；合成气；IWSi02；砒淞1203；反应机理；脉冲反应； 同位素示踪 Abs仃act Abstract 111isdissertationfocuses∞mechanistic0nthe oxidationof study panial oVer firSt RⅣSi02锄d础以1203 me也锄e(POM)to驴t11eSisgas catalysts．Atsecti叻， tlle werecharacterized atlow N2 catalysts by adso印tiontemperature，metaldispersion， H2一TPR of也e were TEM，XRD锄dtechniques．Catal妒cpe墒珊姐ce catalyStS atdiff．erent t0makesuretlle ofPOM ignition 试Vestigated temperature temperaturc reaction．Thereactionsof mixn鹏oVerdi恐rent pulse CH4／02／时=2／l／97 catalyst bedof at700oCwithacontacttimelessmanl ms RⅣSi02锄dRh／A1203catalysts werelIsedtoensuret11eoxi拙ionwherewasstill inme zones 02 availablereaction was that