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低维纳米系电子输运性质的理论研究
目 录
参考文献……………………………………………………………………..5l
第四章单分子磁体:Mn(dmit)z的自旋过滤和开关效应……………………一54
4.1引言………………………………………………………………………54
4.2计算模型和方法…………………………………………………………56
4.3结果和讨论………………………………………………………………57
4.3.1电子结构研究……………………………………………………一57
4.3.2共面构型MnDC的自旋过滤效应………………………………..57
4.3.3Mn(dmit)2的分子开关特性……………………………………….6l
4-4本章小结…………………………………………………………………64
参考文献……………………………………………………………………一65
第五章有缺陷的ZGNRs的反常电子输运和负微分电阻特性………………..67
5.1引言………………………………………………………………………67
5.2模型与计算方法…………………………………………………………68
5.3结果与讨论………………………………………………………………69
5.4本章小结…………………………………………………………………74
参考文献……………………………………………………………………..75
第六章边缘有三角形突起的ZGNRs的z型导电路径研究…………………..76
6.1引言………………………………………………………………………76
6.2模型和计算方法…………………………………………………………77
6.3计算结果和讨论…………………………………………………………79
6.3.I边缘有突起的偶数条链4-ZGNRs的电子输运…………………..79
6.3.2边缘有突起的奇数条链5-ZGNRs的电子输运…………………..82
6.4本章小结…………………………………………………………………85
参考文献……………………………………………………………………一86
第七章通过有序掺杂B或N改善ZGNRs的电子输运………………………88
7.1引言………………………………………………………………………88
7.2模型和计算方法…………………………………………………………90
万方数据
目录 Y2701219
7.3结果和讨论………………………………………………………………90
7.3.1有序掺杂B或N不同浓度、位置对6-ZGNRs输运的调控…….90
7.3.2掺杂对7-ZGNRs输运的调控…………………………………….95
7.4本章小结…………………………………………………………………97
参考文献……………………………………………………………………..98
第八章总结和展望…………………………………………………………….100
致谢…………………………………………………………………………..103
攻读博士学位期间完成的论文及获奖和参加会议情况……………………….105
万方数据
目 录
一【V-
万方数据
中文摘要
摘要
传统电子器件的微型化引起人们对纳米与分子电子器件研究的广泛关注,
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