磁性异质结的自旋输运特性研究.pdf

{搿 璺 变弱。另外AI插入层对自旋阀的磁电阻有重要影响，磁电阻值随着AI厚度 按照指数减小，特征长度大约为0．26rim，相当于一层A】原子厚度。在Cu(2nm) ／Al(2nm)的自旋阀中，首次发现了当测量磁场平行于测量电流时巨磁电阻和 各向异性磁电阻共存的现象。在用Al完全取代Cu的自旋阀结构的样品中， 只观察到各向异性磁电阻的存在，没有观察到巨磁电阻信号。这}兑明中介层 材料的结构和特性可能会对界面处的磁结构产生重大影响，而导致其磁性相 关散射机制的改变，引起由巨磁电阻向各向异性磁电阻的转变。由于条件所 限，对Al为中介层的三明治结构中界面磁结构和输运特性还需要从实验和理 论上作进一步的研究。+ 2．首次利用磁控溅射法和光刻工艺制备了Co／ZnO／FeNi、 co／znO／FeN汜nO／Co多层膜异质结，测量了异质结的磁特性、电阻一温度特 ／ 性和电流垂直膜面的磁电阻特性。／磁性测量发现co／zn0，FeNi、 Co／ZnO／FeNi／ZnO／Co多层膜样品都具有j}常大的饱和场，这可能是因为ZnO 层和金属层的热膨胀系数存在很大的惹异，薄膜制备过程中产生了很大的内 应力，使得磁性金属层不容易发生翻转。也可能是因为ZnO半导体和磁性金 属层的界面处发生了混合，生成了高饱和场的新材料造成的，具体原因有待 于进一步研究。电阻一温度测量发现，样品都表现出半导体输运特性，即电 阻随着温度降低而增大，这说明在较薄的厚度下ZnO就能够生成致密的薄 膜。磁电阻测量得到了高达5％磁电阻，比以往报道的礞性金属／半导体多层 膜的磁电阻大的多，这说明白旋电子在ZnO中具有很长的自旋扩散长度，这 一特性有可能使ZnO材料成为一种重要的自旋电子材料。另外磁电阻随着测 量电流的增加没有明显变化，这说明样品的磁电阻不是隧道效应引起的，而 是自旋电子注入ZnO层产生的。需要指出的是在制各样品过程中没有外加诱 导磁场，样品也没有进行后期退火处理。如果优化样品制备条件，有可能得 、 到更好的结果。这方面的工作正在进行之中。) 3．对金属三明治结构中自旋极化电子输运进行了研究。利用光刻技术和剥离 II 摘 要 II 量结果表明样品都表现出良好的自旋阀特性。f对自旋电流注入产生的双极输 出信号进行了测量，样品都表现出典型的双极输出特性，输出电压在“V量级， 这个结果比Johnson等人的结果大2～3个数量级，其产生原因可能是：我们 制备的三明治异质结的体积比Johnson的样品小的多，中介层厚度也比其样 品薄，另外这里采用的注入电流比Johnson测量的电流要大的多。对Co／Cu／Fe 样品，还测量了输出电压随着磁场与样品表面夹角的关系，当外磁场从平行 于平面方向向法线转动时，随着离开平面的偏角的增大，反转峰磁场随之增 大，其有效平面内磁场基本上遵循余弦规则。测量了Co／Cu／FeNi和 Co／Pd／FeNi金属三明治结样品在不同注入电流下样品的输出电压，发现在电 流比较小的区域，输出电压基本上随着注入电流线性变化，当电流比较大时 偏离线性。这可能是因为电流较大时，样品本身发热比较厉害，热量不能及 时传出，因此样品温度升高，使得非磁性层中电子的自旋扩散长度减小造成 00丸 4．对磁隧道结的制备工艺和流程进行了研究，利用磁控溅射设备和光刻技术， 采用金属等离子体氧化法成功制备了磁隧道结。f并对磁隧道结输运特性进行 ＼ 了研究。在Al：如厚度为4nm的样品中测得了11％的关于零场对称的磁电阻， 样品的磁电阻随着外加电压升高而降低，绝缘层较薄时随电压的变化更明显。 另外还测量了样品的I—V特性曲线，曲线表现出明显的非线性。隧道结的电 阻随着温度降低而增加，表现出典型的磁道结特性。这说明制备的磁隧道结 是成功的，如果在下一步的工作中对工艺流程进行优化，有望得到更好的结 果。≥ 关键词： 自旋电子学，自旋注～磁电阻，、磁性异质结／