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脉冲激光烧石墨靶制备超硬非晶碳膜

杨益民 脉冲激光烧蚀石墨靶制备超硬非晶碳膜 摘要 奉丈研究用脉冲激光烧蚀石墨靶方法在单晶硅、K9玻璃等衬 率1或5Hz。第‘章简要介绍了实验装置、激光烧蚀固体靶的 S-N模型和Y.Lifshitz提出的次表面生长模式。第二章和第三章 分别从引入离子轰击和施加直流偏压电场两方面着重研究了外 界条件作为辅助手段对非晶碳生K的影响。其中第二章从表面形 貌、x射线衍射、Raman散射光普等多方面阐述1r非晶碳的研 究手段和一般特征。第三章中本文作者自己设计了一套直流偏压 装置及信号测量装置及方案,从激光等离子体在偏压电场作用下 的导通特性测量,研究了偏压对激光等离子体空间膨胀过程的影 响机理。第四章研究了激光束聚焦对非晶碳膜生长的影响,并找 剑一J合适的激光束直径。第五章研究了玻璃和单晶硅衬底,kqiE晶 碳对紫Jt-年H红外光的吸收特性,发现非晶碳适应于制作硅衬底上 波长短于8微米的红外增透兼保护膜。 关键词:脉冲激光,激光烧蚀,离子轰击,直流偏压,红外增透 杨益民 脉冲激光烧蚀石墨靶制备超硬非晶碳膜 2 Abstract carbonfilmswere onsuch amorphous Super—hard deposited K9 substratesas siliconand by laser single—crystalline glasspulse with of 532nm,duration ablatinggraphitetarget.Laserwavelength timeabout10nsand 1 or5Hzwasused.The frequency repeating ofthe charterl introducedtheschematics experimentalsetup,the model laser solid the of model)and pulsedablatingtarget(S-N modelforfilm Y.Lifshitz. subplantation growingproposedby bombardmentanddirectcurrentbiaswere Ion—assisted IIandcharterIII on incharter studying emphasized respectively how factorasanassistedavenuecaninfluencethe external growth

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