软磁合金薄中的巨磁阻抗效应分析.pdfVIP

摘 要 随着信息技术的发展，人们对磁传感器件和存储器件提出了越来越高的要 现了巨磁阻抗效应(Giant 流磁阻抗随着一个很小的外加直流磁场的变化而产生大而灵敏的变化，由于这种 变化响应快，灵敏度高，无磁滞，因而具有极大的应用前景，迅速得到了世界各 国学者的高度重视，成为现代磁电子学的研究热点之一。目前，随着对GMI的 研究工作越来越深入，所研究的材料从细丝扩展到了薄带、薄膜、多层膜，从 Co基非晶扩展到Fe基纳米晶，并已经制成了可以实用的传感元件。 分析臣磁阻抗效应的物理机制以及影响因素，对寻找和制备具有更好巨磁阻 抗效应的材料具用重大的指导意义。围绕这一目的，本论文分别从实验和理论两 方面对软磁合金薄带中的巨磁阻抗效应做了详细的研究： 一、非晶薄带与纳米晶薄带中的巨磁阻抗效应的实验研究： 85Feo06Nbo02Nio 用快淬甩带法制备T(Coo 07)75SiloBl5非晶薄带，测量了其在 不同外加直流磁场、电流频率下的电阻、电抗和阻抗值，对数据进行分析得到了 (CoossFeo06Nbo02Nio 5非晶薄带的阻抗频谱、磁阻抗效应频谱、阻抗随 07)758iloBl 外场的变化、巨磁阻抗效应随外场的变化规律。制各了Fes4Zr208Nbf92CaiB【f薄 带，经570～750℃真空退火，使材料发生晶化，析出a—Fe纳米晶微粒，形成 Fe84Zr2,08NbI92CulBl【纳米晶软磁薄带的巨磁阻抗效应与外场、电流频率以及退 火温度之间的关系。总结了软磁薄带中的巨磁阻抗效应规律。 我们实验发现软磁薄带低频下发生巨磁电感效应，高频下发生巨磁阻抗效 应。．GMI(Z)在一定频率附近存在最大值，此频率可看作最佳工作频率。 ．GMI(X)、 值。巨磁阻抗效应随外场的变化会出现一个峰值，这是由于横向磁各向异性的缘 06Nbo 故。(coo85Feo 02N讯7)75siIoBl5非晶薄带的最大巨磁阻抗效应值在外场等于 6C， 650e时可达到52％。Fe84Zr2osNbl92CulBll纳米晶薄带最佳退火温度在725 巨磁阻抗效应在外场为900e最大可达58％。 二、对软磁薄带中的臣磁阻抗效应的计算模拟： 运用磁导率与电流频率之间的弛豫理论对巨磁阻抗效应的频率依赖性做了 分析，并同实验结果进行了比较。讨论了材料的驰豫频率、磁导率、电阻率以及 薄带的厚度对巨磁阻抗效应的影响，对应用中可能的情况做了分析。考虑薄带的 磁畴结构与磁化过程，进一步讨论磁导率在巨磁阻抗效应中的作用，并研究薄带 巨磁阻抗效应的外场依赖性。 计算模拟表明：巨磁阻抗效应与材料磁导率随外场的变化密切相关。材料电 阻率的减小以及初始磁导率的增大可以使峰值向低频移动。改变材料的厚度可以 使GMI(Z)的峰值向低频移动且数值变大。当外场Ⅳ。等于各向异性场H。时，材 料的磁化机制从磁畴壁移转到磁畴转动，磁导率随磁场的变化出现峰值。 关键词：非晶薄带纳米晶薄带巨磁阻抗效应计算模拟 H ABSTRACT With the ofcommunication and moredemands development technology,more are tothe and sensors instruments．In requiredmagnetic magnetic 1992， recording Professorel Mohri foun