高活性铋基合氧化物可见光催化剂的合成及机制研究.pdfVIP

中文摘要 中文摘要 日益增长的环境问题以及可再生能源的不断衰竭使得人们开始关注和寻找新 的技术手段和方法来解决人类未来所要面临的生存压力。其中半导体光催化技术 引起了广大科学研究者的高度重视，这是因为它是一种绿色环保技术且廉价、高 效、没有二次污染。为了更加高效地利用太阳光谱中占有45％左右的可见光部分， 开发具有可见光响应的光催化剂自然成为了人们研究的热点。铋基氧化物材料通 常具有可见光响应以及独特物理化学性质，因此在电子器件、医药及催化领域得 到了广泛的研究和应用。在众多的铋基氧化物材料中，BiV04是一种理想的催化剂， 尤其是近年来在光催化领域的研究。但在实际应用过程中仍存在自身电子空穴分 离效率较差的问题，这主要是由于其导带位置偏低，电子还原能力较差引起的。 另外比表面积的大小也是影响其光催化性能的一个重要因素。因此进一步改善 BiV04载流子的分离情况是十分有意义的工作。本文拟利用宽带隙且具有高导带位 置的ZnO纳米粒子来耦合BiV04来实现高能电子转移的过程。进一步通过对BiV04 造孔增大其比表面积和构筑桥连复合体等方法使得BiV04的光催化活性得到提高， 并对活性提高的机制进行详细的分析。 基于以上分析，本文以铋基氧化物材料中代表物质BiV04为例开展了相关研 究。首先，利用湿化学方法合成ZnO／BiVO。纳米复合体光催化剂。研究结果表明， 适量的ZnO纳米粒子的引入有利于提高BiV04的光生载流子分离效率及可见光催 化活性。这是因为ZnO的引入实现了高能电子的转移过程，进而提高了BiV04在 可见光下的催化活性。另外通过多孔BiVO。纳米材料的制备，增大了其比表面积， 更加有利于BiV04纳米粒子对光的吸收以及和ZnO的复合。 其次，针对两种半导体晶格不匹配带来的问题，拟通过引入了硅桥来提高二 者的连接程度。本文通过湿化学法实现了在BiV04和ZnO之间引入了硅分子桥。 相关实验结果表明，硅的确是以分子桥的形式存在于两种半导体氧化物之间。硅 万方数据 一 一 二二_二 · 桥的引入进一步提高了复合体的载流子分离效率，光催化活性和光电转换效率。 这是因为硅分子桥使得两者连接程度更有效，更利于高能电子的转移和传输过程。 ———』一、l螂删I牝 万方数据 Abstract Abstract had environmentalissuesandrenewablesourcesbecomeexhausted Increasing energy attractedourattentioninto fornew tosolvesurvive inthe searchingtechnology pressure to future．Inrecent has extensiveattentiondue years，Photocatalytictechnologycaught ordertoutilizesolar andnosecondarypollution．In en