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物理 学 报 ActaPhys.Sin.Vo1.63,No.23(2014) 237103
Effectofoxygen implantation on m icrostructuraland
opttiiccaallDprroopeerrttiieessooffZnnT1e::O iinntteerrmm eeddiiaattee-.bband
photovoltaicm aterials术
ZhenKang) GuRan) YeJian—Dong))十 GuShu—Lin){ RenFang—Fang)
ZhuShun—M ing) HuangShi—Min) TangKun) TangDong—M ing) fangYi)
ZhangRong ) ZhengYou—Dou )
1)(SchoolofElectronicScienceandEngineering,NanjingUniversity,Nanjing210093,China)
2)(DepartmentofElectronicMaterialsEnglneering,ResearchSchoolofPhysicsandEnglneering,theAustralianNational
University,Canberra2601,Australia)
(Received28May2014;revisedmanuscriptreceived24July2014)
Abstraet
GroupII—-VIandIII—V· highlymismatchedalloysarepromisingmaterialsystemsintheapplicationofhighefficiency
intermediate—bandsolarcell(IBSC),however,thekeyissuesincludingbandengineeringofintermediatebandstillremain
challenging.Inthisstudy,ZnTe:O alloyshavebeenproducedbyisoelectricoxygenimplantationintoZnTesinglecrystal,
and theinfluencesofimplantation on themicrostructuralandopticalpropertiesofZnTe:O havebeen investigated in
detail. Itisfound thataproperdoseofoxygen ionscan lead to acompressivestrain in the lattice and inducethe
formationofintermediatebandlocated ontheenergylevelofN0.45eV below theconductionband.W hileahighdose
ofoxygen ionscausesZnTesurfacelayerto become amorphousand enhancesthedeep levelemission around 1.6eV,
whichisrelatedtoZnvacancies.ResultsofresonantRamanandtime—resolvedphotoluminescencespectraindicatethat
implantation induced intermediateband isrelated tothelocalized exciton emission boundtooxygen isoelectrictrap,
andtheassociated photoexcitedcarriershavearelatively longdecaytime.Thissuggeststhatthereductionoflattice
distortionandall
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