CMOS工艺射频功率放大器的实现与验证.pdfVIP

中图分类号:TN722 文献标识码:A 文章编号:1009 － 2552 (2011)10 － 0080 － 05 CMOS 工艺射频功率放大器的实现与验证 谢 君 ( ， 200240) 上海交通大学微电子学院 上海 : ，GaAs 摘 要 射频功率放大器是无线设备的关键器件 工艺被广泛使用在射频功放的设计制造 。 CMOS ， CMOS 上 而 工艺在生产成熟度和成本上有很大优势 主要关注用 工艺来做射频功放的 问题， CMOS 。 ， 介绍世界上第一颗量产的 功放及其所使用的特殊技术 利用一款成熟的手机产品 ， 。 替换这颗功放及外围器件 最后与原产品进行对比测试 : ;GaAs ;CMOS 关键词 射频功率放大器 工艺 工艺 Realization and verification of the CMOS technology RF power amplifier XIE Jun (School of Microelectronics ，Shanghai Jiaotong University ，Shanghai 200240 ，China) Abstract :RF power amplifiers are key components in wireless devices ，GaAs technology is widely used in the design and manufacture of RF power amplifier． But the CMOS technology has the very big superiority in the production maturity and the cost ，this paper focuses on the problems that using CMOS technology to do the RF power amplifier ，introduces the world ’s first mass product CMOS power amplifier and the special techniques used． Using a mature handset product ，it replaces this power amplifier and the peripheral components ，and finally carries on the contrast test with the original product． Key words :RF power amplifier ;GaAs technology ;CMOS technology 。 CMOS ， 0 引言 来实现 人们在想如果功放也能用 做 就能 形成真正的单芯片系统。 ， 在现在这种高度信息化的社会 随